תחבורה אחראית במוליכים למחצה כוללת את התנועה של נושאי מטען, בעיקר אלקטרונים וחורים, תחת השפעת שדות חשמליים ו ⁇ ריכוז.הבנת האיזון בין סחף ודיפוזיה חיונית לתכנון וקידוד מכשירים אלקטרוניים.

מימון של מטען

במוליכים למחצה, נושאי המטען נעים בשל שני מנגנונים עיקריים: סחף, הנגרמת על ידי שדות חשמליים, ודיפוזיה, מונע על ידי ריכוז ⁇ s. Drift תוצאות בתנועה מכוונת, בעוד דיפוזיה גורמת לנשאים להתפשט מתחומים גבוהים לריכוז נמוך.

מודלים של Drift ו Diffusion

(ב) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

Balancing Drift ו Diffusion

הדחיסות הנוכחית כוללת את כמות הסחף והרכיבים המפוזרים:0.J=J=JielFLT:1driftphFLT:2 + JIRFLT 3diffusionFLT:4:55 The היחס של כל אחד תלוי בחוזק השדה החשמלי ובריכוזים.

יישומים ב Semiconductor

מודלים מדויקים של תחבורה מטען הוא קריטי לביצועים של המכשיר.זה משפיע על העיצוב של טרנזיס, דידות, תאים סולאריים. מהנדסים לנתח את האיזון בין סחף ודיפוזיה כדי לייעל את היעילות ואת זמני התגובה.