עיצוב Semiconductors יישומים עתיריים: אפשרויות וברכות

יישומים עתירי זמן גבוהים דורשים חומרים מוליכים למחצה מיוחדים שיכולים לפעול באופן אמין בתנאים תרמיים קיצוניים. בחירת חומרים מתאימים וביצוע חישובים מדויקים הם צעדים חיוניים בעיצוב המוליכים למחצה האלה כדי להבטיח ביצועים וארוכות.

בחירת חומרים עבור High-Temperature Semiconductors

חומרים המשמשים במוליכים למחצה בטמפרטורה גבוהה חייב להיות פערים רחבים של הלהקה, יציבות תרמית גבוהה, ונכסים חשמליים טובים בטמפרטורות גבוהות. אפשרויות נפוצות כוללים סיליקון carbide (SiC), הרייום nitride (GaN), ויהלומים.חומרים אלה יכולים לעמוד בטמפרטורות גבוהות יותר בהשוואה למוליכים למחצה מבוססי סיליקון.

תכונות חומריות

• (ב) ,0)Band Gap:FLT:1 Wide Band Gap להפחית את הדור התרמי של מובילי מטען.
• (ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
• (ב) ,0) ,Breakdown Voltage:FLT:1 מתחים התמוטטות גבוהה יותר מאפשרים הפעלה במתחים גבוהים יותר.
• (ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

תהלוכות עבור High-Temperature Performance

עיצוב מוליכים למחצה כרוך חישוב פרמטרים כגון ריכוז המוביל הפנימי, ניידות, והתמוטטות מתח בטמפרטורות גבוהות. חישובים אלה מסייעים לחזות התנהגות המכשיר ולהבטיח אמינות בתנאים תפעוליים.

Intrinsic Carrier ריכוז

ריכוז המוביל הפנימי עולה עם טמפרטורה, המשפיע על מוליכות.זה יכול להיות מוערך באמצעות המשוואה:

(ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא י"ד): "וַיְהִיא עַמְתָּבְהִיתִי" (בראשית כ"ד, כ"ד)

« « טיהור וולטאזון

מתח השבר תלוי בתכונות החומריות ובגאומטריה המכשיר.ניתן להשוות אותו:

(ב) ויקרא י"ד:2 (ב) ויקרא י"ד): "וַיְּהִיא עַל עַל הָאָרֶץ" (בראשית כ"ד, כ"ד)