שילוב של MOSFET ו BJT טרנזיסטורים במעגלים אלקטרוניים דורש שיקול זהיר של המאפיינים הייחודיים שלהם.עיצוב נכון מבטיח ביצועים אופטימליים, יעילות ואמינות במערכות בעלות ברית מעורב. מאמר זה מתאר עקרונות מרכזיים לעקוב כאשר משלבים שני סוגים אלה של טרנזיסטורים.

הבנה של Transistor Characteristics

MOSFET ו- BJTs יש התנהגויות מבצעיות נפרדות.FET הם מכשירים מבוקרים מתח עם אימפולסי קלט גבוה, מה שהופך אותם מתאימים להחלפת יישומים. BJTs הם מבוקרים נוכחיים ומציעים רווח גבוה, לעתים קרובות משמש להעצמת.

עקרונות עיצוב לאינטגרציה

כאשר מעצבים מעגלים עם שני טרנזיסטורים, שקול את העקרונות הבאים:

  • (ב) ,0) ,מתאים להתאמה: FLT:1 ודא כי הקלט והפלט מזהמים מתאימים למניעת אובדן אות.
  • (ב) תנאי ההטיה הנכונה (FLT:0) הוא קריטי עבור שני המכשירים לפעול בתוך האזורים האופטימליים שלהם.
  • (ב) ,0) ניהול רב-האדמיר: 1FLT:1 פיזור חום מונע מהתחממות יתר ויציבות.
  • (ב) ,0) רמות הפחתת: FLT:1 , תואמים רמות כדי להימנע מנזק ולהבטיח שינוי נכון.
  • (ב) ,0) ,5 מענישים את קרוסטור: FLT:1rea הפריסה נכונה ומגן על הפחתת ההתערבות בין מכשירים.

שיקולים

במעגלים טרנזירים מעורבים, בחירת המכשיר תלויה ביישום. MOSFETs מועדפים להחלפת מהירות גבוהה, בעוד BJTs משמשים לעתים קרובות להגדלת ליניארית.שלב שניהם יכול למנף את נקודות החוזק שלהם עבור פונקציות מורכבות.