טכניקות ייצור מתקדמות
פתרון בעיות ריכוזיות של חברות ב Semiconductors: טכניקות ודוגמאות
Table of Contents
הבנת ריכוז נושאות אחראי במוליכים למחצה היא חיונית לתכנון מכשירים אלקטרוניים. מאמר זה דן בטכניקות משותפות ומספק דוגמאות לפתרון בעיות הקשורות ביעילות.
המונחים: Charge Carrier Concentration
(הדגשה על מספר האלקטרונים החופשיים או החורים בחומר מוליכים למחצה) היא משפיעה על מוליכות חשמלית וביצועי המכשיר.ריכוזים טיפוסיים נעים בין FLT:01003FLT:11313FLT:203FLT 3 ל-FLT:410031003100310031003FLT 603FLT 7 סנטימטר מעוקב.
טכניקות לפתרון בעיות ריכוז
כמה שיטות משמשות כדי לקבוע ריכוזי נושא המטען, כולל:
- חוק הפעולה של ה-FLT:0 (Mass Action Law: FLT:1) מסדיר את ריכוזי האלקטרון והבורים באמצעות ריכוז נושא הפנימי.
- (ב) סטטיסטיקות של פרימי-דיסקרטיות: 1.10.10.10.000) מספק חישובים מפורטים המבוססים על חלוקת אנרגיה.
- (ב) ,0) תנאי השימוש ב-FLT:1 משתמשים ברמות מינון וטמפרטורה כדי למצוא את אספקת השיניים.
דוגמה לבעיה ופתרון
(ה) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
שימוש בחוק הפעולה ההמוני:
(ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא י"ד:
מאחר שהדופינג הוא N-type, רוב נושאות הם אלקטרונים, והריכוז האלקטרוני (FLT:0 nentiFLT:1) בערך שווה את ריכוז התורם:
[[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]
ניתן למצוא את ריכוז החור (FLT:0 ⁇ ) 1:1:
(ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא י"ד): "וַיְהִיא נָא עַל עַל הָאָרֶץ" (ב) ;2 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇