בהבחנה למחצה, doping הוא תהליך קריטי המציג זיהומים לתוך סיליקון wfers כדי לשנות את התכונות החשמליות שלהם. Accurate שליטה על רמות מינון הוא חיוני כדי להבטיח ביצועי המכשיר ואמינות. שיטות אנליטיות שונות משמשים כדי לפקח ואמת ריכוזים במהלך הייצור.

טכניקות ספציפיות

שיטות ספציפיות-קופטיות משמשות נרחב לניתוח מינון בשל האופי הלא-הרסני שלהם ורגישות גבוהה.טכניקות כגון Ion Mass Spectrometry (SIMS) לספק פרופילים מפורטים של הפצה דונט בתוך הוואפר. X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) יכול גם לזהות רמות מינון פני השטח עם דיוק גבוה.

שיטות למדידה חשמלית

מדידות חשמל להעריך את ההשפעה של מינון על התכונות החשמליות של חומרים מוליכים למחצה.אפקט הול מודד ריכוז וניידות של נושא, מתן מידע עקיף על רמות dopant. ארבע נקודות בדיקות להעריך עמידות גיליון, אשר תואם עם ריכוז doping.

ניתוח כימי ו Chromatographic

שיטות ניתוח כימיות כרוכות בפירוק או גרד את פני השטח של wfer כדי לנתח תוכן dopant.טכניקות כגון Inductiveזוגותd Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS) מציעים רגישות גבוהה לגילוי כמויות של dopants. שיטות אלה משמשים לעתים קרובות עבור בקרת איכות מטרות cabration.

השוואה של שיטות

לכל שיטה אנליטית יש יתרונות ומגבלות.טכניקות ספקטרוסקופיות לספק פתרון מרחבי, אך עשוי לדרוש ציוד מורכב.מדמות חשמל מהירות ומתאים למעקב מקוון, אך מציעות מידע דונט עקיף.אנליזה כימית מספקת נתונים ריכוז מדויק אך היא הרסנית.שלב שיטות מרובות משפר את הדיוק של שליטה.