מדידת פרמטרים MOSFET במדויק חיוני לתכנון ולבדיקה של מעגלים אלקטרוניים. שיטות שונות משמשים במעבדה כדי לקבוע מאפיינים מרכזיים כגון מתח סף, טרנסנדנדנס, ו ניקוז הנוכחי. המדידות האלה עוזרות להבנת התנהגות המכשיר ולהבטיח ניתוח תקין ביישומים.

המונחים: Threshold Voltage

מתח הסף (VigtureFLT:0) הוא מתח שער-ל-מקור מינימלי הדרוש כדי להפוך את MOSFET על מנת למדוד אותו, מערכת פשוטה כוללת יישום מתח קוד ניקוז בהדרגה להגדיל את מתח השער תוך שמירה על זרם הניקוז.

המונחים: Transconductance

שקיפות (GearFLT:0)mFLT:1cio) מצביעה על יעילות מתח השער שולט זרם הניקוז.זה מחושב על ידי מדידה של השינוי ב ניקוז הנוכחי ביחס לשינוי במתח השער במתח קבוע של ניקוז-מקור.

המונחים:

(ה) ,התחילה של זרם הניקוז (IIRFLT:0DigtureFLT:1) כוללת יישום של מתח קוד ניקוז ידוע ומשתנה את מתח השער.

שיטות בדיקה נוספות

שיטות אחרות כוללות מדידות Capacitance-voltage (C-V) עבור פרופילים doping וניתוח מדרונות subthreshold עבור איכות המכשיר. בדיקות אלה מספקות תובנות מקיףות בהתנהגות MOSFET והם שימושיים עבור סיווג המכשיר ובקרת איכות.