Table of Contents
הבנת האריסטוקרטים ב- Modern Power Electronics
Thyristors הם מכשירים למחצה מוליכים למחצה אשר הפכו אבני בניין יסודיים ביישומים של כוח גבוה סיבולת כוח להחליף כוח ייחודי שלהם לשלוט כוח חשמלי משמעותי עם יעילות יוצאת דופן עושה אותם הכרחי על פני ספקטרום רחב של מערכות אלקטרוניות מודרניות, מכוננים תעשייתיים ל משדרים בתדר מתקדם. בעוד לעתים קרובות מאפיל על ידי טרנזיסטורים דנים יותר, Thyristors לנקוט נישה קריטית שבה מתח גבוה, הנוכחי, אמיתי, ואמין ביצועים שאינם ראויים הם דרישות מיותרות.
בנוף של אלקטרוניקה כוח, בחירת מכשירים להחליף קובע ישירות יעילות מערכת, דרישות ניהול תרמי ואמינות כללית. Thyristors, עם מבנה ייחודי שלהם ארבעה שכבות p-n-n-p-n-n-p-n-n-p-n-n-n-p-n-n-n-n-n-p-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-p-n-n-n-n-n-p-n-n-n-n-p-p-n-n-n-n-n-n-p-n-p-n-n-n-p-p-n-n-n-n-n-n-n-n-p-n-n-p-p-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-n-p-n-n-p-n-n-p-p-p-n-p-p-p-n---n-n----n-n-n--------------
הפיזיקה מאחורי Thyristor
Thyristor הוא ביסודו ארבעה שכבות, שלושה מעבדים למחצה לטווח ארוך בנוי משינוי p-type ו- n-type סיליקון שכבות.מבנה זה יוצר שלושה צומתים p-n שנותנים את המכשיר התנהגות ההחלפה הייחודית שלו.שלוש המסופים & #8212;anode, Cathode, and Gate & #8212; לספק את האמצעים לשלוט ולהשתמש במצב שלך.
כאשר מתח חיובי מוחל בין הרוד וקטורד ללא אות שער, המחוקק נשאר במצב חסום שלו, מונע זרם נוכחי.המכשיר עובר למצבו המבצע כאשר דופק חיובי קצר מוחל על מסוף השער ביחס לקטודה.פעם מופעל לתוך התנהגות, המחוקק נכנס למצב רגנרטיבי שבו משוב פנימי שומר על המדינה אפילו לאחר שהאות הוסרו מהתנהגות זו.
המחוקק ממשיך לפעול עד שהזרם הרוד נופל מתחת לערך סף מינימלי הידוע כזרם ההחזקה.זה קורה בדרך כלל כאשר המתח החל מהפך את הקוטביות או כאשר הזרם הוא נאלץ חיצוני לאפס.התנהגות טבעית זו הופכת את השחקנים לתאים במיוחד לשינוי יישומים הנוכחיים שבהם הזרם חוצה באופן טבעי אפס כל מחזור.
המונחים: key Operational Parameters
כמה פרמטרים קריטיים מגדירים את ביצועי ה-Wristor ביישומים של מעבר גבוה ל- ⁇ :0turn-on TimeFLT:1 בדרך כלל נע בין כמה מאות ננו שניות למספר מיקרו-שניות, בהתאם לבניית מכשירים וכוח כונן השער.
(ה)הכוח של ה-FLT:0(DV/dtt Capacity) מתאר כיצד מתח מהיר יכול לעלות על המכשיר מבלי לגרום להופעתם של אירועים גדולים ב- dV/dtt יכול לגרום ל-theristor באמצעות הפיכה פנימית, תופעה שמעצבים חייבים לנהל בקפידה את אותה פעולה, ה-FLT:2di/dultrated PowerF:3, אם כן, ללא נזק מרבי של זרם חימום, יכול לעמוד בקצב הנוכחי.
סוגים של Thyristors for high-Frequency Applications
בעוד מבנה ה-Goristor הבסיסי נותר עקבי, פותחו מספר גרסאות מיוחדות כדי לענות על הדרישות התובעניות של מעבר גבוה.כל סוג מציע יתרונות נפרדים ומסחריים שהופכים אותם מתאימים לתחומים ספציפיים של יישומים.
« מהיר לעבור את הכמרים
שינויים מהירים ב- Thyristors הם אופטימיזציה לזמני התפנית מופחתים באמצעות טכניקות כגון doping זהב או אלקטרון irradiation. שינויים אלה מציגים מרכזי שיקום אשר מאיצים את הסרת המטען המאוחסן במהלך תהליך ה-Turn-off.זמניים טיפוסיים עבור משווקים מהירים נע בין 5 ל-20 מיקרו-שניות, המאפשרים הפעלה בתדרים עד כמה קילהרץ.
שער Turn-Off Thyristors (GTOs)
שער תורף את חג המולדים מטפל באחת המגבלות הבסיסיות של השחקים הקונבנציונליים על ידי כך שאפשר לשער להפוך באופן פעיל את המכשיר.שער שלילי הנוכחי של גודל מספיק יכול להפריע משוב רגנרטיבי ולהכריח את המקטור לתוך המדינה החוסמת שלו.יכולת הזו מבטלת את הצורך במעגלי הפעלה בכפייה ומאפשרת הפעלה בתדרים גבוהים יותר עם שליטה משופרת.
אינטגרטיבי שער-מוקלט את Thyristors (IGCTs)
המחוקק המשולב של השער המשולב מייצג התקדמות משמעותית בטכנולוגיית Thyristor, המשלב את הירידה הנמוכה של מתח קדימה של GTO עם המאפיינים של מעבר מהיר של transistor. על ידי שילוב של נהג השער מעגלים ישירות לתוך חבילת Thyristor, IGCTs להשיג פעמים רבות בתורו במהירות רבה תוך שמירה על יכולת טיפול בעוצמה גבוהה.
מאק-קונפלי יריסים (MCTs)
מאקדמיטור מבוקר מ MOS משלב מבנים מתכת-פחמיטור כדי לספק מעבר מבוקר מתח.על ידי החלת מתחי שער מתאימים, ניתן לכבות את MCT ולהסתלק דרך שערי MOS משולבים במבנה Thyristor. גישה זו מציעה את היתרונות של תנופה גבוהה, דרישות כונן שער פשוט, פוטנציאל להחלפת תדרים גבוהים יותר.
High-Frequency Power Switching Applications
Thyristors ביססו את עצמם על פני מספר רב של יישומים של החלפת חשמל גבוה, שבו המאפיינים הייחודיים שלהם מספקים יתרונות נפרדים על מכשירים מוליכים למחצה חלופיים.
מערכות אינדוקציה
חימום אינדוקציה מייצג את אחד היישומים המובילים כוח גבוהה תובעני ביותר החלפת יישומים.מערכות אלה דורשות מעבר אמין בתדרים החל ממספר קילורץ למאות קילווהרץ תוך טיפול ברמות כוח משמעותיות. Thyristors, במיוחד גרסאות מעבר מהיר, לספק את השילוב ההכרחי של דירוג מתח גבוה, טיפול נוכחי חזק, ומהירות מעבר מקובלת. המודרנית אספקת חשמל תוך שימוש לעתים קרובות או מקבילה למינוף טבעי של תכונות יעילות של ניתוח יעיל של פעילות גופנית.
רדיו Frequency Power Amplifiers
בתדירות רדיו כוח העצמת את השפע, האריסטוקרטים היו מוגבלים באופן מסורתי למגוון תדר נמוך יותר, אבל ההתקדמות בטכנולוגיית המכשיר הרחיבה את הגעתם ללהקות HF ותחתון VHF. עיצובים מיוחדים של Thyristor יכולים לפעול כמו החלפת RF מכשירים ביישומים כגון דור פלזמה, פליטת לייזר ועיבוד RF תעשייתי.היכולת שלהם להתמודד עם רמות כוח משמעותיות עם יעילות גבוהה הופכת אותם חלופות אטרקטיביות טכנולוגיות אלחוטיות ביישומים מסוימים של RF.
החלפת כוח
אספקת כוח גבוהה מעבר כוח תועלת מטכנולוגיית Thyristor במספר תחומים קריטיים.מתאים נשלטים בשלב באמצעות Thyristors מספקים המרה AC-to-DC יעילה עם מתח פלט מותאם מותאם.ב DC-to-DC להמיר את ההתנצלות, Thyristors יכולים לשמש כמחליף העיקרי ביישומים הדורשים רמות כוח פלט מעבר לגבולות המעשיים של טרנסיסטורים.
מערכות כוח דופק
יישומי כוח דופק דורשים זרמים גבוהים מאוד ומתחים המסופקים בתוך הדופקים קצרים, נשלטים בדיוק. Thyristors מצטיינים בסביבות אלה בשל יכולתם להתמודד עם זרמי עלייה מסיביים ללא נזק ויכולתם לעבור מחסימת מדינות במיקרו-שניות. יישומים כוללים לייזרים הדופק, מנטרטורים מכ"ם, מערכות יצירת אלקטרומגנטיות, וניסויים עתירי אנרגיה גבוהה.
יתרונות של Thyristors in High-Frequency Switching
הרלוונטיות המתמשכת של האריסטוקרטים במעבר כוח גבוה נובע ממספר יתרונות ברורים כי מכשירים מוליכים למחצה חלופיים לא יכולים לשכפל באופן מלא.
כוח ידה עם יכולת
Thyristors יכול לשלוט מתחים גבוהים באופן יוצא דופן זרמים כי מעל הגבולות המעשיים של רוב הטרנזיסטורים. בודדים התקנים thyristor זמינים עם דירוגי מתח מעל 6000 וולט ודירוגים נוכחיים מעל 5000 amperes. יכולת זו מאפשרת מערכות המבוססות על Thyristor לנהל רמות כוח נמדדת במגוואט תוך שמירה על ספירות מכשירים סבירים ומורכבות מערכת.
נפילה נמוכה מאוד
הירידה קדימה של ממריץ מוביל היא בדרך כלל בטווח של 1.0 עד 2.5 וולט, ללא קשר לקיום הנוכחי. מתח נמוך על המדינה מצמצם את אובדן ההתנהלות ומשפר את יעילות המערכת הכוללת, במיוחד ביישומים עתירי עתירי טרנזיסטורציה עלול לגרום לדיסיפוך גבוה יותר באופן משמעותי.
המונחים: high-face
Thyristors יש יכולת יוצאת דופן לעמוד בזרמים מעל הדירוגים המתמשכים שלהם. זרמי העלאה קצרה של 10 עד 20 פעמים הזרם הדירוג יכול להיות נסבל ללא כשל מכשיר.תכונה זו מוכיחה בלתי נסבלת ביישומים בתנאים פגומים, בזמני מברשת, או עומסי יתר קבועים, שבו מכשירים חלופיים לא ייכשלו באופן קטסטרופלי.
רובוסטנס ונאמנות
הבנייה הפיזית של האריסטוקרטים הופכת אותם חזקים מאוד נגד מתחים חשמליים כגון טראנסים מתח, ספייקטים נוכחיים, ואירועים DV / DV גבוה, יכולתם לספוג ולשרוד תנאים פגומים שיהרוסים מכשירים אחרים למחצה תורמים לאמינות המערכת, במיוחד בסביבות תעשייתיות שבהן איכות הכוח עשויה להיות פחות מאידיאל.
דרישות פשוטות ל- Gate Drive
בניגוד לטרנסיסטורים הדורשים אותות נהיגה בשער רציף כדי לשמור על התנהגות, הגורים צריכים רק דופק קצר כדי להתחיל התנהגות. זה מאפיין עיצוב כונן שער פשטות ולהפחית את דרישות הכוח עבור מערכת הבקרה.ביישומים רבים, מהפך הדופק פשוט או מעגל פריקה קיבולי מספק כונן שער הולם, ביטול הצורך באספקת חשמל מתוחכמת.
אתגרים ואסטרטגיות מייגציה במבצע הכדאי
למרות היתרונות הרבים שלהם, Thyristors להתמודד עם אתגרים משמעותיים כאשר דוחקים לפעולה בתדר גבוה יותר.הבנת המגבלות הללו וליישם אסטרטגיות הפחתה מתאימה היא חיונית לתכנון מערכת מוצלח.
הגבלת זמן מהירה
זמן ההמראה המוטבע של חג המולדים מטיל גבול בסיסי על תדירות הפעלה מקסימלית.במהלך הסבב, המטען המאוחסן חייב להיות הוסר מצומת המכשיר לפני שחוסמת יכולת משוחזרת.תהליך זה בדרך כלל דורש 5 עד 50 מיקרו-שניות, בהתאם לבניית המכשיר ולתנאי התפעול.עבור תדרים מעל 10 קילוהרץ, זמן ההמראה עשוי לקחת חלק משמעותי של המעבר, להגביל את החובה המעשית והפסדים.
(FLT:0) אסטרטגיות הפחתה: 1FLT (השתמש בהחלפת חג המולדים במהירות מופחתת פעמים תור- off היא הגישה העיקרית.טכניקות כגון זהב doping, אלקטרון-הדמיון, וגיאומטריה למכשיר מותאם יכול להפחית את הזמן ל 5 מיקרו-שניות או פחות.בנוסף, הפעלה בטמפרטורות צומת מופחתות ושימוש במעגלות מאולץ יכול להפחית את מרווחי ההמראה היעילים.
DV/Dt Induced Turn-On
שינויים מהירים במתח על פני חג המולד יכולים לגרום לתפנית לא מכוונת באמצעות הפיכה קיבולית בתוך מבנה המכשיר.הההתחילה צומת יוצרת זרם עקירה שיכול לגרום למנגנון משוב חוזר, מה שגורם למקדש לפעול כאשר זה צריך להישאר חסום.הבעיה הזו הופכת חמורה יותר בתדרים גבוהים יותר שבהם מעברי מתח הם מהירים יותר.
(FLT:0) אסטרטגיות הפחתה: FLT:1 מעגלים סנובר המחוברים על פני המקדש מגבילים את שיעור המתח העולה על ידי מתן נתיב חלופי עבור זרם העקירה. RC snubber הם הפתרון הנפוץ ביותר, עם ערכים רכיב שנבחר בקפידה כדי לדכא dV / ed מבלי להציג הפסדים מופרזים.
החלפת הפסדים בתדירות גבוהה
בעוד שהאריסטוקרטים מציגים הפסדים של התנהגות נמוכה, ההפסדים שלהם הופכים משמעותיים יותר בתדרים גבוהים יותר.שניהם, מעברי תורף כוללים מרווחים שבהם מתח וחפיפה הנוכחית, יצירת אנרגיה שיש לפרק אותה כחום.כפי שהחלפת תדירות עלייה, הפסדים אלה מצטברים באופן יחסי, בסופו של דבר מעל ליכולת התרמית של המכשיר.
(FLT:0) אסטרטגיות הפחתה: 1) טכניקות מכווצות רך כגון מעבר אפס-וולטר (ZVS) ו- Zero-current מעבר (ZCS) יכולות להפחית באופן דרמטי את אובדן המעבר.במגירה חוזרת לכדי התנצלות, מתגי חג המולד כאשר מתח או זרם זה אפס טבעי, מצמצם את החפיפות המתח בזמן המעברים תרמיים, כולל קירור יעיל, כולל קירור יעיל.
המונחים: Gate Drive
פעולה גבוהה קידוד דורש תשומת לב זהירה למאפיינים של כונן השער. הדופק השער חייב להיות חזק מספיק ומהיר כדי להבטיח תפנית מהירה אחידה על פני כל אזור המכשיר.כונן השער Inadequate יכול לגרום התנהגות מקומית, המוביל כתמים חמים וכשל מכשיר פוטנציאלי.בנוסף, המעגל כונן השער חייב לשמור על בידוד מן מעגל כוח הגדל תוך מתן גורם אמין בתדר התפעולי.
(FLT:0) אסטרטגיות הפחתה: 1FLT:1 נהגים בשער גבוה עם זמני עלייה מהירה להבטיח תור שלם אחיד פונה. Pulse ממירים עם ליבות מפריט לספק בידוד גליוני תוך מתן זרם השער הנדרש. עבור תדרים גבוהים מאוד, סיבי שער אופטי גורם לחסל אתגרי בידוד ומספק חסינות להפרעה אלקטרומגנטית.
ניתוח השוואתי עם Alternative Switching מכשירים
בחירת מכשיר ההחלפה האופטימלי עבור יישומים גבוהים דורש השוואה זהירה של שלך עם טכנולוגיות מוליכים למחצה חלופי.
מזמורים: Power MOSFET
Power MOSFET מציעים מהירות מעבר גבוהה, עם זמני מעבר נמדדים ב- nano secondss ולא microthers. זה הופך אותם לבחירה המועדפת עבור יישומים מעל 100 קילוהרץ. עם זאת, MOSFET מציג הפסדים התנהגות גבוהה יותר בזרמים גבוהים בשל טמפרטורות החיובי שלהם טמפרטורה יעילה של על עמידות. Thyristors לשמור על הפסדים התנהגות נמוכה יותר בתנודות גבוהות, מתן יעילות ביישומים גבוהים יותר, הם גם עלייה בסיכון גבוה יותר למתחים רגישים יותר.
חג המולד לעומת IGBTs
מעכבי דו קוטביים משלבים את המכשולים הגבוהים של מ MOSFET עם הפסדי התנהגות נמוכים של מכשירים דו קוטביים. IGBTs מציעים מעבר מהיר יותר מאשר שלך, עם זמניים בתור בדרך כלל מתחת 1 מיקרו-שני, והם מספקים שליטה מלאה על פני תור-on והפך- off- off דרך השער.
ה-Taristors vs. Silicon Carbide
סיליקון carbide MOSFETs ו- Schotky diodes מייצגים את קצה הטכנולוגיה של מוליכים למחצה כוח, המציעה מעבר מהיר מאוד, יכולת טמפרטורה גבוהה, והפסדים נמוכים.תקני SiC יכולים לפעול בתדרים מעל 1 מגההרץ תוך טיפול בדירוג מתח של 1200 וולט ומעל. עם זאת, מכשירי SiC נשארים יקרים משמעותית יותר מאשר שלך ועדיין אינם זמינים בתדרים גבוהים מאוד ומתח זה מגיע גבוה ביותר עבור רמות רגישות גבוהה ביותר.
דרישות עיצוב עבור מערכות שקיפות מבוססות על Thyristor
יישום מוצלח של שלךristors ב High- ⁇ החלפת יישומים דורש תשומת לב זהירה לכמה שיקולים עיצוביים המשפיעים ישירות על ביצועי המערכת ואמינות.
ניהול ארס
פעולה גבוהה ⁇ באופן בלתי נמנע מגבירה את אובדן המעבר, הצבת דרישות גדולות יותר על מערכת ניהול תרמי.לטעון הפסדים, למרות נמוך יחסית, משלב עם החלפת הפסדים כדי לייצר חום כי יש להסיר ביעילות.מודלים תרמית צריך לשקול הן מצב יציב והן תנאים transient, כולל תרחישים אשם שבו המשקעים הנוכחיים עשויים להעלות בקצרה טמפרטורות צומת. Appropriate מחמם, קירור אוויר מאולץ, או מערכות קירור חייב להיות בגודל של 125 מעלות מתחת לטמפרטורות צלזיוס.
עיצוב מעגל Snubber
מעגלים סנוברים להגן על האריסטוקרטים מפני יתר dV / dt ומדכאים טראנסים מתח שעלול לגרום לגורם גורם רעייף כוזב או נזק למכשיר.ה- capacitor מגביל את קצב המתח העולה על המכשיר, בעוד הסדרה מתנגדת לשלוט על הפרשות הנוכחי כאשר המחוקק מופעל על יעילות כוללת או עמידות, יש להתאים בזהירות את יעילות ההגנה מפני פירוק כוח.
סדרה ומבצע מקבילים
עבור יישומים הדורשים מתח או דירוגים נוכחיים מעבר לאלה של מכשירים בודדים, אתריסורים יכולים להיות מחוברים בסדרה או תצורה מקבילה.קשר סדרה דורש שיתוף מתח זהיר כדי להבטיח כי שום מכשיר אחד לא יעלה על דירוג המתח חוסם שלה. â € ¢ שיתוף מתח לחץ ושיתוף מתח דינמית התקנים הם הכרחי.קשר מקביל דורש תשומת לב לשיתוף הנוכחי, עם סטייה הנגרמת על ידי שינויים במתח קדימה ירידה תרמית ומאפיינים של 10% בדרך כלל הוא 10 אחוזים לשיתוף פעולה הוא בדרך כלל עבור שיתוף פעולה הוא שלילי.
עיצוב שער כונן
מעגל כונן השער חייב לספק מספיק זרם עם זמן עלייה מתאים כדי להבטיח יישום אמין אחיד דרישות הנוכחיות שער טיפוסי טווח מ 100 מ"ממפרים עבור מקדשים קטנים עד 10 אמפרים עבור מכשירים גדולים. משך הדופק השער צריך להיות ארוך מספיק כדי להבטיח את זרם הode עולה על זרם החיתוך לפני אות השער הוסר.
כיוונים עתידיים והתקדמות
הטכנולוגיה של Thyristor ממשיכה להתפתח, מונעת על ידי דרישות למהירויות מעבר גבוהות יותר, נחיתות כוח גדולות יותר, ושיפור האמינות.כמה מגמות מתעוררות מבטיח להרחיב את היכולות של שלךנים ביישומים גבוהים.
אור-טריגר את חג המולד
משחתים מחונמים קלים משתמשים דופקים אופטיים ולא אותות חשמליים כדי להתחיל התנהגות. גישה זו מבטלת את הצורך בעיגולי כונן שער ומספקת בידוד חשמלי שלם בין מערכת הבקרה לבין מעגל הכוח הנטוע גבוה.הגורם האופטי מאפשר כונן שער במהירויות גבוהות מאוד ומפשט את העיצוב של מחרוזת האור המחוברת סדרה עבור יישומים גבוהים.
חומרים רחבים Bandgap
מחקר לתוך Thyristors אשר מוטבע מסיליקון carbide ו גליום nitride מבטיח שיפורים משמעותיים בהחלפת מהירות ויכולת תדירות.התב רחב יותר של חומרים אלה מאפשר ניתוח טמפרטורה גבוהה יותר, מופחת זרמי דליפות, ודינמיקה מהירה יותר של ספקים.סיליקון carbide thyristors הוכיחו חסימת מתחים מעל 10 קילובולטים לפני כן, תוך מעבר בתדרים גבוהים משמעותית מאשר התקנים לייצור בוגר, רחב, קבוצות רחבות, יכול לפתוח את ה-מתאים חדשים לתחומים חדשים של סיליקון.
אריזה מתקדמת ואינטגרציה
חידושים באריזה למכשיר נועדו להפחית את החדירה הטפילית ואת ה- capacitances המגבלה ביצועים גבוהים של ספא-חבילה וחבילות מבוססות מודול מספקים קשרים עם חינוך נמוך וניהול תרמי משופר.אינטגרציה של נהגי שער, רכיבי נרובר, ו מעגלי הגנה ישירות לתוך חבילת Thyristor מפחיתה מורכבות חיצונית ומשפרת את הביצועים.
המקרר והקסקיד Configurations
מהנדסים משלבים יותר ויותר את חג המולדים עם מכשירים אחרים של Semiconductor כדי למנף את היתרונות של כל טכנולוגיה.תצורה היברידית באמצעות Thyristors בסדרה עם טרנזיסטורים מהירים המאפשרים הפעלה רופפת-מכוף אשר מפחיתה את ההפסדים של Thyristor. Cascaded לאפשר סידורים מהירים נמוכים יותר כדי לסייע להפעלה של משחתכיכים גבוהים יותר, מרחיבים את טווח התדירות שלהם מייצג את הגישות הטראגיות של פעילות גופנית עם יכולת מודרנית של פעילות גופנית.
יישום-Specific Implementation
בחינת יישום בעולם האמיתי מספק תובנה כיצד שלךריסים הם בהצלחה לפרוס ביישומים של החלפת כוח גבוהה.
אספקת חשמל בינונית-Frequency Induction Heating Power Supply
מערכת חימום בינונית טיפוסית של ניכוי הפעלה ב 3 עד 10 קילוהרץ משתמשת במהירות מעבר שלך בגשר מלא או חצי-גשר resonant inverter טופology.the thyristors לעבור אפס מעברים הנוכחיים כדי למזער את ההפסדים בתורו, השגת יעילות המערכת הכוללת מעל 90%. Power טווח מ 50 קילווואט למספר מגהוואט, עם שלך המוחץ נדרש כדי לחסם את יכולת הנית / מכווץ היטב.
High-Voltage DC Power Transmission
מערכות שידור נוכחיות ישירות מסתמכות על שסתום חג המולד המורכבים ממכשירים המחוברים לסדרת כדי להשיג חסימת מתחים של כמה מאות קילולובטים. בעוד מערכות אלה פועלות בתדר קו ולא בתדר גבוה, מעברים כוללים ערכים גבוהים מאוד dV / dt הדורשים בחירה זוטרת רוח רפאים ועיצוב נחירות.
מסקנה
Thyristors ממשיכים לשחק תפקיד חיוני בהחלפת יישומים בעוצמה גבוהה, מתן שילוב ייחודי של יכולת ניהול חשמל, יעילות, ועוצמה כי מכשירים מוליכים למחצה חלופיים לא יכולים לשכפל באופן מלא.בעוד אתגרים הקשורים לחלוף הזמן, רגישות dV / dt, והחלפת הפסדים להגביל את טווח התדר שלהם בהשוואה טרנזיסיסטורים, התקדמות מתמשכת בתכנון, אריזה, ו-Topology להמשיך לדחוף את גבולות הביצועים שלך.
עבור מהנדסים המעצבים מערכות מעבר כוח גבוה, הבנת הכוחות והמגבלות של Thyristors חיוני לקבלת החלטות בחירה מכשירים מושכלת של המכשיר.הבחירה בין Thyristors, IGBTs, MOSFET, ומכשירי להקות רחבים מתעוררים תלוי בשיקול זהיר של מתח ודרישות הנוכחיות, הפעלה תדירות, יעילות, מגבלות תרמיות ומטרות עלות רבות עוצמה גבוהה, במיוחד אלה הפועלים מתחת ל -10 קילו-מ"ל עם רמות כוח אופטימליות, נשארים מעל 100 קילו-וואט, עדיין מעל ל-מתאים אופטימליים, עדיין יותר.
(המחקר לחומרי להקות רחבים ואריזות מתקדמות ממשיך, טכנולוגיית חג המולד תרחיב ככל הנראה לתחומים גבוהים יותר ולתחומי יישומים חדשים.היתרונות הבסיסיים של מבנה ה- Thyristor — אובדן התנהגות נמוכה, יכולת גבוהה לגדילה הנוכחית, ולהוביל פשוטה ל- XVateiFEEOperation — LT4: 7) LT2, מספק את הרלוונטיות שלו בנוף המתפתח של אלקטרוניקה והדרכה טכנית והדרכה, כגון: