Calcolo on-resistance (sulla) per la scelta efficiente del Mosfet in progettazione del circuito

La scelta del MOSFET giusto per un circuito comporta la comprensione della sua on-resistance, noto come Rds(on).Questo parametro influisce sull'efficienza energetica e sulla generazione di calore. Il calcolo accurato dei Rds(on) aiuta a selezionare un dispositivo che soddisfa i requisiti di prestazioni, riducendo al minimo la perdita di energia.

Comprensione di Rds(on)

Rds(on) è la resistenza tra i terminali di scarico e di sorgente quando il MOSFET è completamente acceso. I valori Rds(on) inferiori indicano una migliore conduzione con una minore dissipazione di potenza. Questo parametro è specificato nel foglio di dati e varia con temperatura e tensione di cancello.

Calcolo di Rds(on) in Progettazione di circuiti

Per calcolare l'efficacia dei Rds(on) in un circuito, prendere in considerazione il valore massimo Rds(on) fornito dal produttore ad una tensione specificata del cancello.

Aggiungimenti effettivi(on) = Rds(on) alle condizioni specificate[]

Fattori che influenzano Rds(on) Selezione

• Tensione di Gate:[[]] Assicurare che la tensione di azionamento del cancello sia sufficiente per attivare completamente il MOSFET, minimizzando i Rds (on).
• Temperatura:[] Rds(on) aumenta con la temperatura, quindi considerare la gestione termica.
• Requisiti necessari:[] Selezionare un MOSFET con Rds(on) abbastanza basso da gestire la corrente di carico massima in modo efficiente.
• Dissipazione del potere:[ Calcola la perdita di potenza utilizzando P = I2 × Rds(on) per garantire che i limiti termici non siano superati.