La scelta del MOSFET giusto per i design elettronici ad alta efficienza richiede la comprensione della sua on-resistance (Rds(on)).Questo parametro influisce sulla perdita di potenza e sulle prestazioni termiche.

Comprendere MOSFET On-Resistance

La resistenza è la resistenza tra i terminali di scarico e di sorgente quando il MOSFET è completamente acceso. È un fattore critico nelle applicazioni di commutazione di potenza, che influiscono sulle perdite di conduzione e sulla generazione di calore.

Come Misurare i Rds(on)

Misurare Rds(on) comporta l'applicazione di una tensione specifica di cancello per attivare completamente il MOSFET e misurare la caduta di tensione attraverso di esso durante il passaggio di una corrente conosciuta. La resistenza è calcolata utilizzando la legge di Ohm:

Rds(on) = Tensione di Goccia / Corrente di drenaggio

Fattori che interessano Rds(on) Valori

Diversi fattori influenzano i Rds(on) di un MOSFET, tra cui:

  • Tensione di cancello a sorgente (Vgs)
  • Temperatura
  • Variazioni di produzione
  • Evoluzione del dispositivo

È importante considerare questi fattori durante i test per garantire misurazioni accurate e affidabili Rds(on) per applicazioni ad alta efficienza.