I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per il commutazione e l'amplificazione. La comprensione delle modalità di guasto contribuisce a migliorare l'affidabilità e il design. Questo articolo presenta esempi reali di analisi di guasti MOSFET, concentrandosi su su surriscaldamento e deriva dei parametri.

Riscaldamento dei guasti

Il surriscaldamento è una causa comune di guasto MOSFET. Il calore eccessivo può danneggiare la giunzione semiconduttore, portando al degrado del dispositivo o all'insufficienza di guasti catastrofici. In un caso, un MOSFET di potenza utilizzato in un driver motore riscaldato a causa di un insufficiente dissipazione del calore, causando il guasto del dispositivo dopo diverse ore di funzionamento.

L'analisi del guasto ha rivelato un esaurimento termico, dove la temperatura aumentata ha causato maggiori correnti di dispersione, aumentando ulteriormente la temperatura.

Parametro Drift

La deriva del parametro comporta cambiamenti nelle caratteristiche di MOSFET nel tempo, che influiscono sulle prestazioni del circuito. In un'applicazione di commutazione ad alta frequenza, la tensione di soglia si è spostata gradualmente, riducendo l'efficienza.

Questa deriva è stata tracciata di nuovo all'esposizione prolungata ad alte tensioni e temperature. Attuazione del morsetto di tensione e migliore controllo termico minimizzato i cambiamenti dei parametri.

Altre modalità di guasto

Le modalità di guasto aggiuntive includono danni e difetti di produzione elettrostatici (ESD) e di scarico. L'ESD può causare un'immediata insufficienza del dispositivo o danni latenti che si manifestano più tardi.

  • stress sovracorrente
  • Danni meccanici
  • Fattori ambientali