Berekenen van de Gain- en Input-/outputweerstand in bipolaire knooppunttransistors (bjts)

Begrijpen hoe je de winst en input/outputweerstand in bipolaire junctiontransistors (BJT's) kunt berekenen is essentieel voor het ontwerpen en analyseren van elektronische schakelingen. Deze parameters beïnvloeden de prestaties en stabiliteit van versterkers en andere BJT-gebaseerde apparaten.

Verkrijg in bipolaire knooppunttransistors

De huidige gain, vaak aangeduid als β (beta), is de verhouding van de collectorstroom (I_C) tot de basisstroom (I_B). Het geeft aan hoeveel de transistor het ingangssignaal versterkt.

Spanningswinst hangt af van de configuratie van de stroomkring en de belastingsweerstand. In converse-emitter configuraties kan de spanningswinst (A_]v) worden benaderd als:

A_v ≈ -g_m R_C

waarbij g_m de transgeleiding is en R_C de belastingsweerstand van de collector is.

Invoerweerstand van BJT's

De ingangsweerstand (r_in) van een BJT is de weerstand die gezien wordt als je de basisterminal bekijkt. Het wordt voornamelijk bepaald door de basis-emitterverbinding en de huidige winst van de transistor.

Voor kleine signaalanalyse kan r[_in worden benaderd als:

r_in ≈ r_π = β / g_m

Uitvoerweerstand van BJT's

De uitgangsweerstand (r_out) is de weerstand die de collectorterminal inkijkt. Het beïnvloedt de spanningsregeling en de stabiliteit van het circuit.

In kleine signale modellen wordt r[_out vaak benaderd door de weerstand van de verzamelaar R_C[] parallel met de intrinsieke weerstand van de transistor r_o.

• Gain is afhankelijk van circuitconfiguratie en belasting
• De ingangsweerstand wordt voornamelijk bepaald door de basis-emitterverbinding
• Uitgangsweerstand beïnvloedt spanningsregeling
• β (beta) is een belangrijke parameter voor de huidige versterking