Table of Contents
Het ontwerpen van RF-versterkers voor Low-Noise Block Downconverters (LNBs) is een kritisch aspect van satellietontvangersystemen. Deze versterkers zorgen ervoor dat de extreem zwakke signalen die van satellieten worden ontvangen, worden versterkt met minimale geluidssterkte, waardoor de signaalintegriteit voor nauwkeurige verwerking door de ontvanger behouden blijft. In een omgeving waar signaalverliezen in de ruimte en de atmosfeer meer dan 200 dB kunnen overschrijden, bepaalt de prestaties van de eerste fase versterker fundamenteel de algemene systeemgevoeligheid. Moderne satellietsystemen met directe uitzending die in Ku-band (10.7
Overzicht van LNB's in Satellietontvangst
Een Low-Noise Block Downconverter dient als front-end van elke satelliet-TV of VSAT-systeem. Gemonteerd op de focus van de parabolische schotel, ontvangt de LNB het hoogfrequente satellietsignaal, versterkt het, en vervolgens mengt het tot een tussenfrequentie (meestal 950.2150 MHz voor consumentensystemen) die via coaxiale kabel naar de binnenontvanger kan worden overgedragen. De RF-versterker vormt de eerste actieve fase binnen deze keten. De geluidsoverlast figuur rechtstreeks bijdraagt aan de totale systeemgeluidstemperatuur, waardoor het de meest kritische component is voor het bereiken van een voldoende carrier-to-noise verhouding. Zelfs een 0,1 dB verbetering van het geluid figuur kan vertalen in een significante toename van de koppelingsmarge of het mogelijk maken van de werking met een kleinere schotel antenne.
De LNB moet ook buitenbandinterferentie van aardse bronnen, radar en aangrenzende satellietsignalen afstoten. De selectiviteit van de RF-versterker, gecombineerd met bandpassfilters, voorkomt dat deze ongewenste signalen de downconvertermixer verzadigen. Bovendien moet de versterker betrouwbaar werken over een breed temperatuurbereik (-40°C tot +70°C voor buiteninstallaties) terwijl de stabiele winst en ruisprestaties behouden blijven.
Rol van de RF-versterker in een LNB
De RF-versterker in een LNB wordt bijna altijd geïmplementeerd als een multitraps low-noise versterker (LNA). De eerste fase is geoptimaliseerd voor de laagst mogelijke ruisfiguur, vaak met behulp van een enkele transistor bevooroordeeld in de buurt van zijn minimale ruisstroom. De volgende fasen zijn ontworpen om extra winst te bieden met behoud van lineariteit. De versterker moet ook het geluid van volgende fasen volgens de Friis formule afbreken: wanneer de eerste fase heeft hoge winst (meestal 15
Naast lawaai en winst moet de versterker goed met de feedhoorn (antenna) en de mixer communiceren. Ingangs- en uitvoerimpedanties zijn meestal 50 ohm voor coaxiale interfaces, maar de feedhoorn kan een andere impedantie bieden die een passend netwerk vereist. De uitgang van de versterker moet de mixer met voldoende vermogen, vaak rond -10 tot 0 dBm, drijven zonder significante harmonischen of intermodulatieproducten te genereren. In dual-polarisatie LNBs worden twee afzonderlijke versterkers gebruikt, elk met zijn eigen polarisatie-output, die een zorgvuldige isolatie tussen kanalen vereisen.
Belangrijkste prestatieparameters
Geluidsbeeld en gevoeligheid
Geluidsfiguur (NF) is de belangrijkste specificatie voor elke LNB-versterker. Het kwantificeert de afbraak van signaal-ruisverhouding veroorzaakt door de versterker. Voor satellietontvangst wordt de systeemgeluidstemperatuur gedomineerd door de LNB-geluidsfiguur plus de ruistemperatuur van de antenne (meestal 30.060 K in heldere hemel). Een typische Ku-band LNB bereikt een geluidsniveau tussen 0.3 en 0.6 dB, wat overeenkomt met een geluidstemperatuur van 20.0 K bij 290 K omgeving. Het geluidcijfer van de eerste transistor alleen is vaak 0.2
Om de geluidsoverlast te minimaliseren, kiezen ontwerpers voor transistors met een zeer laag minimumgeluidsgetal (Fmin). Bijvoorbeeld, GaAs pHEMT-apparaten van fabrikanten zoals Qorvo of Infineon[] bieden Fmin-waarden onder 0,2 dB bij 12 GHz. De transistor moet worden bevooroordeeld op de optimale stroom voor minimaal lawaai, wat vaak een fractie is van zijn verzadigde afvoerstroom (Idss). Het input matching netwerk moet de optimale geluidsimpedantie (Γopt) aan de transistor tegelijk met een goede impedantiematch voor vermogensoverdracht, een compromis dat soms leidt tot een lichte mismatch om de beste geluidsoverlastprestaties te bereiken.
Vergroting en vergroting van de vlakheid
De totale winst van de LNB RF-versterker varieert doorgaans van 25 tot 40 dB, verdeeld over twee of drie fasen. De eerste fase biedt een matige winst (10.215 dB) om de bijdrage van het geluid van de tweede fase te verminderen. De tweede fase biedt extra 12.215 dB, en als een derde fase wordt gebruikt, voegt het verdere winst toe, maar moet zorgvuldig worden ontworpen om oscillatie te voorkomen. Verkrijg vlakheid over de LNB's ontvangen bandbreedte (bijv., 10,7
Lineariteit en intermodulatie
Satellietsignalen kunnen relatief sterk zijn van nabijgelegen transponders, maar belangrijker nog, de versterker moet meerdere dragers tegelijkertijd hanteren zonder intermodulatievervorming (IMD) te creëren. De standaard lineariteitsmeter voor LNB-versterkers is het uitgangs-derde-orde-interceptpunt (OIP3). Een typische LNB-versterker moet een OIP3 van ten minste +10 dBm bereiken om intermodulatieproducten onder de drempel van de ontvanger te houden. In veel ontwerpen is de derde fase de dominante bron van non-lineairheid omdat het de grootste signaalniveaus ziet. Het verhogen van de transistor bij hogere drainstroom verbetert de lineariteit maar verhoogt het energieverbruik.[] De uitval moet worden gemaakt tussen ruis (vereist lage stroom) en lineariteit (vereist hogere stroom). Een gemeenschappelijke aanpak is het vooroordeel van de eerste fase voor minimale ruis en de latere stadia voor lineariteit.
Een ander lineariteitsaspect is compressie: het 1-dB compressiepunt van de versterker (P1dB) moet hoog genoeg zijn om het pieksignaalvermogen zonder vervorming te verwerken. Voor een typische LNB moet P1dB bij de uitgang -5 dBm overschrijden, waardoor sterke signalen (bijvoorbeeld van een nabije satelliet of terrestrische interferer) de versterker niet tot verzadiging drijven.
Impedantie Matching en VSWR
Impedantie matching is van cruciaal belang voor het maximaliseren van de vermogensoverdracht en het minimaliseren van reflecties die kunnen leiden tot een rimpel of oscillatie. De ingang van de LNB-versterker moet worden afgestemd op de feedhoorn impedantie (gewoonlijk 50 ohm, hoewel sommige golfgidsen aanwezig 75 ohms). De output moet worden afgestemd op de 50-ohm transmissielijn die leidt tot de mixer. Spanning staande golfverhouding (VSWR) in beide poorten moet beter zijn dan 2:1 over de hele band, en bij voorkeur onder 1.5:1 om buitensporige mismatche verliezen te voorkomen. In breedbandontwerpen (bijvoorbeeld, de hele Ku-band downlink), het bereiken van een goede input match gelijktijdig met een laag geluidsniveau is uitdagend omdat Γopt vaak verschilt van 50 Ω. Designers gebruiken technieken zoals serie inductieve feedback of het invoegen van een kleine weerstand in de poortvoordeellijn om de match te vergroten zonder de de negatieve geluiden significant te vergroten. Het gebruik van multilayer PCB substraten met gecontroleerde impedantie (bv., Rogers
Transistortechnologieën voor LNB-versterkers
GaAs pHEMT
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors (pHEMTs) gemaakt van gallium arsenide zijn de dominante technologie voor LNB RF-versterkers. Ze bieden extreem lage geluidsniveaus (0,15 .0 dB bij 12 GHz), hoge winst (12 .15 dB per stadium), en goede lineariteit. Het GaAs substraat biedt lage verlies en goede thermische geleidbaarheid in vergelijking met andere III-V materialen. Typische apparaten, zoals de NEC NE3509M04[] of de Qorvo TGF2960 serie, zijn verkrijgbaar in kleine oppervlakte-montage pakketten of als kale matrijs voor hybride integratie. Hun poortlengtes zijn in het bereik van 0.15 .0.25 μm. GaAls pHEMTs negatieve gate-voordeelspanningen (gewoonlijk -0,5 - 1.5 V) en een zorgvuldige ESD-bescherming. Ze zijn zeer geschikt voor Ku-band en Ka-band LNBs.
SiGe BiCMOS
Silicium-germanium (SiGe) heterojunctie bipolaire transistors (HBT's) bieden een goedkoper alternatief voor GaAs, vooral voor sterk geïntegreerde LNB's die de RF-versterker combineren met de mixer en lokale oscillator op één chip. SiGe BiCMOS-technologie maakt geluidscijfers van 0,5.0 dB bij 12 GHz mogelijk, wat voor veel consumenten aanvaardbaar is. Het belangrijkste voordeel is dat digitale regelcircuits, biascompensatie en meerdere winststappen op dezelfde matrijs kunnen worden opgenomen. Echter, het geluidcijfer is meestal 0.2
Inp HEMT
Voor toepassingen die de ultieme lage geluidsoverlastprestaties vereisen, zoals wetenschappelijke satellietontvangst of zeer kleine diafragmaterminals (VSAT's), indiumfosfide (InP) HEMT's leveren geluidscijfers onder 0,1 dB bij Ku-band en onder 0,3 dB bij Ka-band. InP-technologie biedt hogere elektronenmobiliteit en lagere parasitaire middelen dan GaA's, maar tegen een hogere kosten en met meer uitdagende fabricage. InP HEMT's worden meestal gebruikt in de eerste fase van high-end LNB's waar elke tiende van een dB van belang is. Ze vereisen een zorgvuldige behandeling en een schone DC-voorziening vanwege gevoeligheid voor elektrostatische ontlading. De meeste commerciële consumenten gebruiken InP's niet omdat GaAs al voldoet aan de vereiste specificaties op een lager prijspunt.
Ontwerpmethode en simulatie
Schematisch ontwerp
Het ontwerpproces begint met het selecteren van de transistor en het biaspunt. Voor een tweetraps LNA is de eerste fase bevooroordeeld voor minimaal lawaai (drain stroom rond 10
Simulatie met ADS of AWR
Simulatie is onmisbaar voor het moderne LNB-versterkerontwerp. Gereedschappen zoals Keysight ADS of Cadence AWR laten de ontwerper toe om de transistor te modelleren met behulp van de s-parameters en geluidsparameters die door de fabrikant worden geleverd. De aanvankelijke matching netwerken worden gesynthetiseerd met behulp van Smith-diagramtechnieken of optimalisatiealgoritmen. De ontwerper voert meestal kleine signaalsimulaties uit om de winst, geluidssterkte en input/outputmatch te verifiëren. Vervolgens worden harmonische balanssimulaties gebruikt om de lineariteit (IP3, P1dB) en grootsignaal gedrag te beoordelen. [Het is essentieel om modellen voor alle passieve componenten, inclusief bindingsdraden, via inducties, en soldeerpadparasieten te omvatten.[[] De lay-out moet worden gecosimuleerd met behulp van elektromagnetische simulatie (bv. Momentum of HFSS) om rekening te houden met de koppeling tussen sporen en grondvlakinteracties.
Opmaakoverwegingen
De RF-versterker lay-out is even belangrijk als de schema. Kritieke punten zijn onder meer: kortste RF-pad, geïsoleerd grondvlak onder de transistor en goed gefilterde toevoerlijnen. Het ingangsmatchnetwerk moet dicht bij de transistorpoort staan om parasitair verlies te minimaliseren. De grond via moet overvloedig zijn en zo dicht mogelijk bij de bronpads geplaatst zijn om de broninductantie te verminderen, waardoor de groei en het lawaai worden afgebroken. Shielding maakt gebruik van geaarde metalen wanden (via hekken) om signaallekken en oscillatie te voorkomen.[[] In een tweetraps ontwerp moet de output van de tweede fase fysiek gescheiden worden van de input om feedback te vermijden. Meestal wordt het board gemaakt van een laagverlies substraat zoals Rogers 4350B met een diëlektorconstante van 3,48 en een dikte van 0,254 mm om de parasitaire reactie te verminderen.
Uitdagingen voor praktische uitvoering
Temperatuurcompensatie
Omdat de LNB blootgesteld is aan buitentemperaturen, kan de winst en de geluidssterkte van de transistor veranderen met temperatuur. GaAs pHEMTs hebben een negatieve temperatuurcoëfficiënt, wat betekent dat de toename afneemt als de temperatuur stijgt. Zonder compensatie kan de totale LNB-winst variëren met 3
Stroomvoorzieningsgeluidsfiltering
De LNB ontvangt zijn DC vermogen van de coaxkabel (13.018 V DC, afhankelijk van polarisatie en tooncommando's). Deze voeding kan rimpels bevatten, interferentie van de schakelmechanismen van de ontvanger en voorbijgaande spikes. De vooringenomenheidscircuits van de versterker moeten zwaar worden gefilterd met behulp van serie ferrietkralen, shuntkeramische condensatoren, en mogelijk een low-dropout (LDO) regulator voor de gevoelige eerste fase. [Elke ruiskoppeling in de gate bias van de eerste transistor zal het RF signaal amplitude-moduleren en de signaal-tot-geluidsverhouding afbreken.[] Het is gebruikelijk om meerdere fasen van RC of LC filtering in de biase lijnen te gebruiken, met zorgvuldige indeling om het gevoelige biase knooppunt te isoleren van de hoge-stroom outputfase.
Bescherming en isolatie
De versterker werkt binnen de LNB behuizing, die typisch een metalen behuizing is die door de behuizing wordt gegoten. De interne indeling moet elektromagnetische koppeling tussen de ingang en uitgang voorkomen. Een metalen wand tussen de eerste en tweede fase wordt vaak gebruikt, met een kleine opening voor de transmissie lijn om door te gaan. Het grondvlak moet continu onder de versterker; elke sleuf kan uitstralen of pikken interferentie. De deksel moet rond zijn omtrek worden geaard met geleidende pakkingen of vele schroeven. In- en uitgang coaxiale connectoren moeten goed worden geaard om het chassis om grondlussen te voorkomen. Bij dual-polarisatie LNBs moet de isolatie tussen de twee versterkers groter zijn dan 20 dB om kruis-polarisatie interferentie te voorkomen.[]
Testen en optimaliseren
Meting van geluidssterkte
Na fabricage wordt het geluid van de versterker gemeten met behulp van een geluidsmeter (bv. Keysight N8975A) met een geluidsbron (bv. Keysight 346B). De meting moet in de werkelijke frequentieband met de juiste impedantie worden uitgevoerd. De versterker moet in een afgeschermde behuizing worden geplaatst om omgevingsstoring te voorkomen. De geluidsfiguur kan worden gede-embedd op het referentievlak van de transistor ingang. [Typisch gezien moeten metingen worden herhaald over de temperatuur om de prestatiedrift te vangen.[ Elke afwijking tussen gesimuleerde en gemeten geluidssterkte wijst meestal op overmatig verlies in het input matchingnetwerk, slechte transistormontage of parasitaire inductantie. Corrigerende maatregelen omvatten het aanpassen van de input matching of het gebruik van een beter substraat.
S-parametermetingen
S-parameters worden gemeten met een vectornetwerkanalysator (VNA) gekalibreerd op de referentievlakken van de connector. De versterker moet stabiel zijn onder alle bron- en belastingsimpedanties, die wordt geverifieerd door te controleren of s-parameters vrij zijn van afwijkingen en dat de stabiliteitsfactor (K) groter is dan 1. Winnen vlakheid, ingangsrendement verlies en rendementsverlies worden direct gelezen uit de s-parametermetingen. Oscillatie kan vaak worden geïdentificeerd door een abrupte verandering in s21 bij de rand van de band of bij lage frequenties. Als instabiliteit wordt gedetecteerd, wordt misschien een weerstand toegevoegd in serie met de poortvooroordeellijn of een kleine shunt weerstand aan de uitgang.
Lineariteitstest
Lineariteit wordt getest met behulp van een intermodulatiemeting met twee tonen. Twee nauw verdeelde tonen (bv. 11.5 GHz en 11.51 GHz) worden in de versterker ingevoerd op een niveau dat een totaal uitgangsvermogen produceert van ongeveer -10 dBm. Het uitgangsspectrum wordt onderzocht op intermodulatieproducten met derde orde. De OIP3 wordt vervolgens berekend op basis van de fundamentele en IM3-niveaus. Voor LNB-versterkers moet de OIP3 +5 tot +15 dBm zijn afhankelijk van de toepassing. Het 1-dB compressiepunt wordt gemeten door het verhogen van het ingangsvermogen totdat de outputwinst met 1 dB daalt van de lineaire waarde. Deze metingen bevestigen of het ontwerp voldoet aan de lineariteitseisen voor het beoogde modulatieschema (bv., QPSK, QAM, of DVB-S2X).[]]
Voorbeeld Design Flow voor een Ku-Band LNB versterker
Om het proces te illustreren, moet u een tweetraps LNA overwegen voor een Ku-band LNB die 10.7
Opkomende trends en toekomstige richtingen
Aangezien satellietfrequenties hoger in Ka-band en Q/V-band voor breedbanddiensten bewegen, moeten LNB-versterkers nog lagere geluidscijfers en grotere bandbreedtes bereiken. GaN HEMTs beginnen in hoge lineairheid toepassingen te verschijnen, maar voor lage ruis, GaAs en InP blijven de werkpaarden.[ De komst van complete SiGe single-chip LNBs zal de grootte en kosten verminderen, maar niet de beste geluidsprestaties bereiken. Software-gedefinieerde satellietontvangers die zich kunnen aanpassen aan meerdere banden kunnen tunable of schakelbare LNB-versterkers vereisen, die nieuwe ontwerpuitdagingen biedt. Bovendien zullen de integratie van meerdere LNBs voor gefaseerde array antennes...........................................................................................
Conclusie
Het ontwerpen van RF-versterkers voor laag-ruisblok Downconverters is een veeleisend veld dat de tegenstrijdige eisen van ultra-laag lawaai, hoge winst, brede bandbreedte, lineariteit en thermische stabiliteit in evenwicht brengt. Door de transistortechnologie zorgvuldig te selecteren, de vooringenomenheid en matching netwerken te optimaliseren en strikt te simuleren en te testen, kunnen ingenieurs versterkers produceren die de nodige prestaties leveren voor een betrouwbare satellietontvangst. De voortdurende evolutie van satellietcommunicatie naar hogere frequenties en meer bandbreedte zal de LNB-versterker als een cruciale onderzoeks- en ontwikkelingsfocus handhaven.[ Praktische ontwerpers houden een stevige greep op transmissielijntheorie, transistorfysica en meettechnieken, waarbij ze worden toegepast om versterkers te creëren die het zwakste signaal uit de diepte van de ruimte halen.