Modelação matemática em engenharia
Calculando a Tensão Encaminhada em Diodos de Silício e Escotky: Uma Abordagem Prática
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Compreender a queda de tensão para a frente (VF]) em díodos é essencial para projetar circuitos eletrônicos confiáveis. Diodos de silício e Schottky têm diferentes características de tensão que influenciam seu desempenho em várias aplicações. Este artigo fornece uma abordagem prática para calcular a queda de tensão para a frente para esses díodos.
Gota de tensão dianteira em Diodos de Silício
Os díodos de silício normalmente têm uma queda de tensão à frente em torno de 0,7 volts ao conduzir. Este valor pode variar dependendo da corrente que passa através dos díodos e condições de temperatura. Para estimar V[ F[, pode ser usada uma aproximação simples:
VF , 0,7 V + (0,02 V × I)[ ]
onde eu é a corrente de avanço em miliamps. Para fins práticos, usar 0,7 V como um valor padrão é suficiente, a menos que cálculos precisos sejam necessários.
Gota de Tensão Encaminhada em Diodos de Schottky
Os díodos Schottky geralmente têm uma tensão dianteira mais baixa, tipicamente entre 0,2 e 0,3 volts. Sua queda de tensão é menos afetada pelas variações de temperatura e corrente em comparação com os díodos de silício. Um cálculo aproximado pode ser feito usando:
VF , 2 V + (0,01 V × I)[ ]
Novamente, I é a corrente de avanço em miliamps. Para estimativas rápidas, assumindo que 0,3 V fornece um valor conservador.
Dicas práticas de cálculo
Ao calcular a queda de tensão para a frente, considere a corrente real no seu circuito. Use as fórmulas aproximadas para estimativas rápidas, mas para um design detalhado, consulte a planilha de dados do diodo para o V exato F[] em correntes e temperaturas específicas.
Os aumentos de temperatura geralmente aumentam a tensão para a frente em díodos de silício, enquanto os díodos Schottky são menos afetados.