Os transistores de campo de efeito de semicondutores de metal-oxide-semicondutor (MOSFETs) são amplamente utilizados em eletrônica de potência. Uma característica chave de muitos MOSFETs é o diodo do corpo, que permite que a corrente flua na direção inversa. Compreender o comportamento desses diodos, especialmente durante a comutação, é essencial para o projeto e operação eficiente do circuito.

O que são os diodos do corpo MOSFET?

O diodo corporal é um componente intrínseco da estrutura MOSFET. É formado entre as regiões de drenagem e fonte e está sempre presente no dispositivo. Este diodo conduz quando a tensão no dreno excede a tensão na fonte na direção inversa, proporcionando um caminho para a corrente.

Fenômeno de recuperação reversa

Durante a comutação, o diodo do corpo pode experimentar a recuperação reversa, que é o processo da comutação do diodo de condução para o estado de bloqueio. Esta transição envolve carga armazenada na junção do diodo, levando a um pico de corrente breve. A recuperação reversa pode causar picos de tensão e perdas de comutação aumentadas.

Gerenciando Recuperação Reversa

Para minimizar os efeitos da recuperação reversa, os engenheiros podem adotar várias estratégias:

  • Selecionar MOSFETs com baixa carga de recuperação reversa: Dispositivos projetados com características de diodo corporal otimizadas reduzem as perdas de comutação.
  • Executando circuitos de assobio: Estes circuitos absorvem picos de tensão causados por correntes de recuperação reversa.
  • Controlar as velocidades de comutação: A comutação mais lenta reduz a corrente de recuperação reversa dos díodos, mas pode afetar a eficiência.
  • Usando retificação síncrona: Substituir díodos corporais com MOSFETs controlados ativamente pode reduzir significativamente as perdas.