Решение проблемы паразитарных способностей в Мосфетах для высокоскоростных коммутационных приложений

Приложения для высокоскоростного коммутации требуют тщательного рассмотрения паразитных емкостей, присущих устройствам MOSFET. Эти емкости могут значительно влиять на производительность коммутации, энергопотребление и электромагнитные помехи. Понимание и смягчение этих эффектов имеют важное значение для оптимизации эффективности и надежности цепи.

Понимание паразитарных способностей в MOSFET

Паразитические емкости являются непреднамеренными емкостными эффектами в MOSFET, которые происходят между его терминалами. Основные типы включают емкости «ворот-к-источнику», «ворот-к-дроссель» и «слив-к-источнику». Эти емкости влияют на то, как быстро MOSFET может включаться или выключаться, влияя на общую производительность цепи.

Влияние на высокоскоростной переключатель

В высокоскоростных приложениях паразитные емкости могут вызывать задержки в переключении, увеличивать рассеивание мощности и генерировать электромагнитный шум, эти эффекты становятся более выраженными на более высоких частотах, где происходит быстрая зарядка и разрядка емкостей.

Стратегии снижения паразитарных способностей

Несколько методов могут уменьшить воздействие паразитарных емкостей: