Table of Contents

Понимание тиристоров в современной силовой электронике

Тиристоры — это полупроводниковые устройства, которые стали фундаментальными строительными блоками в высокочастотных приложениях переключения питания. Их уникальная способность управлять значительной электрической мощностью с замечательной эффективностью делает их незаменимыми в широком спектре современных электронных систем, от промышленных приводов двигателей до передовых радиочастотных передатчиков. В то время как часто омрачаемые более часто обсуждаемыми транзисторами, тиристоры занимают критическую нишу, где высокое напряжение, высокий ток и надежная производительность переключения являются не подлежащими обсуждению требованиями.

В ландшафте силовой электроники выбор коммутационных устройств напрямую определяет эффективность системы, требования к управлению температурой и общую надежность. Тиристоры с их отличительной четырехслойной структурой p-n-p-n предлагают характеристики, которые особенно хорошо подходят для приложений, требующих надежного управления мощностью в сложных условиях эксплуатации. По мере того, как энергетические системы продолжают продвигаться к более высоким частотам и большей плотности мощности, понимание роли и возможностей тиристоров становится все более важным для инженеров и проектировщиков систем.

Физика, стоящая за операцией Тиристора

Тиристор — это в основном четырёхслойное трёхконцевое полупроводниковое устройство, построенное из чередующихся слоев кремния p-типа и n-типа. Эта структура создает три p-n перехода, которые придают устройству характерное переключающее поведение. Три терминала & #8212; анод, катод и затвор & #8212; обеспечивают средства для управления и использования проводящего состояния тиристора.

При подаче положительного напряжения между анодом и катодом без сигнала затвора тиристор остаётся в своём блокирующем состоянии, предотвращая ток. Устройство переходит в своё проводящее состояние при подаче короткого положительного импульса на затворный вывод относительно катода. После запуска в проводимость тиристор входит в регенеративный режим, где внутренняя положительная обратная связь поддерживает проводящее состояние даже после снятия сигнала затвора. Такое защелкивание является определяющей характеристикой, отличающей тиристоры от транзисторов.

Тиристор продолжает проводить до тех пор, пока анодный ток не упадет ниже минимального порогового значения, известного как удерживающий ток. Это обычно происходит, когда приложенное напряжение изменяет полярность или когда ток внешне вынужден к нулю. Это естественное коммутационное поведение делает тиристоры особенно хорошо подходящими для приложений переменного тока, где ток естественным образом пересекает ноль каждого цикла.

Ключевые операционные параметры

Несколько критических параметров определяют производительность тиристора в высокочастотных коммутационных приложениях. Время включения обычно колеблется от нескольких сотен наносекунд до нескольких микросекунд, в зависимости от конструкции устройства и силы привода затвора. время выключения , или время обратного восстановления, как правило, длиннее и представляет собой интервал, необходимый для устройства, чтобы восстановить его блокировку после прекращения тока. Эта характеристика выключения значительно влияет на максимальную рабочую частоту.

Способность dV/dt описывает, как быстро напряжение может повышаться по всему устройству, не вызывая непреднамеренного включения. Высокие события dV/dt могут запускать тиристор через внутреннюю емкостную связь, явление, которым дизайнеры должны тщательно управлять. Аналогично, способность di/dt определяет максимальную скорость повышения тока, которую устройство может выдержать во время включения без ущерба от локализованного нагрева.

Типы тиристоров для высокочастотных применений

Хотя базовая структура тиристора остается неизменной, для удовлетворения требовательных требований высокочастотного переключения было разработано несколько специализированных вариантов. Каждый тип предлагает различные преимущества и компромиссы, которые делают их подходящими для конкретных областей применения.

Быстрая переключение Thyristors

Быстро переключающиеся тиристоры оптимизированы для уменьшения времени выключения с помощью таких методов, как допинг золота или электронное облучение. Эти модификации вводят центры рекомбинации, которые ускоряют удаление сохраненного заряда во время процесса выключения. Типичное время выключения для быстрых тиристоров колеблется от 5 до 20 микросекунд, что позволяет работать на частотах до нескольких килогерц. Эти устройства находят широкое применение в системах индукционного нагрева, приложениях импульсной мощности и высокочастотных инверторах.

Gate Turn-Off Thyristors (альбом)

Тиристоры отключения затвора устраняют одно из фундаментальных ограничений обычных тиристоров, позволяя затвору активно выключать устройство. Отрицательный ток затвора достаточной величины может прервать регенеративную обратную связь и заставить тиристор в его блокирующее состояние. Эта возможность устраняет необходимость в форсированных коммутационных схемах и позволяет работать на более высоких частотах с улучшенным управлением. ГТО обычно используются в тяговых приводах, больших системах управления двигателем и промышленных приложениях среднего напряжения.

Интегрированные воротно-коммутированные тиристоры (IGCT)

Интегрированный гейт-коммутированный тиристор представляет собой значительное продвижение в тиристорной технологии, сочетающей низкое падение переднего напряжения ГТО с быстрыми характеристиками переключения транзистора. Интегрируя схему драйвера затвора непосредственно в тиристорный пакет, ИГКТ достигают чрезвычайно быстрого времени выключения при сохранении высокой мощности обработки. Эти устройства работают на частотах до нескольких килогерц и широко используются в средневольтных приводах, преобразователях ветряных турбин и энергосистемах, подключенных к сети.

MOS-контролируемые тиристоры (MCT)

Микроконтроллеры включают в себя металлооксидно-полупроводниковые структуры для обеспечения переключения с контролируемым напряжением. Применяя соответствующие напряжения затвора, MCT может быть включен и выключен через затворы MOS, интегрированные в структуру тиристора. Этот подход предлагает преимущества высокого входного импеданса, упрощенные требования к приводу затвора и потенциал для более высоких частот переключения. Хотя он не так широко принят, как другие варианты, MCT продолжают находить применение в специализированных системах преобразования мощности.

Высокочастотные приложения для переключения питания

Тиристоры зарекомендовали себя во многих высокочастотных приложениях переключения питания, где их уникальные характеристики обеспечивают явные преимущества перед альтернативными полупроводниковыми устройствами.

Системы индукционного нагрева

Индукционное отопление представляет собой одно из самых требовательных приложений для высокочастотного переключения питания. Эти системы требуют надежного переключения на частотах от нескольких килогерц до сотен килогерц при работе с существенными уровнями мощности. Тиристоры, особенно варианты быстрого переключения, обеспечивают необходимую комбинацию высокого напряжения, надежной обработки тока и приемлемой скорости переключения. Современные источники питания для индукционного нагрева часто используют рядные или параллельные резонансные топологии, которые используют естественные коммутационные характеристики тиристоров для достижения эффективной работы.

Усилители радиочастотной мощности

В радиочастотном усилении мощности тиристоры традиционно ограничивались более низкими частотными диапазонами, но достижения в технологии устройств расширили их охват в диапазоны HF и нижних VHF. Специализированные конструкции тиристоров могут работать как радиочастотные коммутационные устройства в таких приложениях, как генерация плазмы, лазерное возбуждение и промышленная радиочастотная обработка. Их способность обрабатывать значительные уровни мощности с высокой эффективностью делает их привлекательными альтернативами технологиям вакуумных труб в определенных радиочастотных приложениях.

Переключение источников питания

Высокоэнергетические коммутационные источники питания получают выгоду от технологии тиристора в нескольких критических областях. Фазовые выпрямители с использованием тиристоров обеспечивают эффективное преобразование переменного тока в постоянный ток с регулируемым выходным напряжением. В топологиях преобразователей постоянного тока тиристоры могут служить основными переключающими элементами в приложениях, требующих уровней выходной мощности за пределами практических пределов транзисторов. Конструкции резонансных преобразователей особенно используют характеристики тиристора для достижения мягкого переключения и снижения электромагнитных помех.

Системы питания пульса

Приложения для питания импульсами требуют чрезвычайно высоких пиковых токов и напряжений, доставляемых короткими, точно контролируемыми импульсами. Тиристоры превосходят в этих средах благодаря своей способности обрабатывать массивные токи всплеска без повреждений и их способности переключаться с блокировки на проводящие состояния в микросекундах. Приложения включают импульсные лазеры, радиолокационные модуляторы, системы электромагнитного формирования и эксперименты по физике высоких энергий. Прочность тиристоров против электрического напряжения делает их предпочтительными устройствами в этих сложных приложениях.

Преимущества тиристоров при высокочастотном переключении

Сохраняющаяся актуальность тиристоров в высокочастотном переключении мощности обусловлена несколькими преимуществами, которые альтернативные полупроводниковые устройства не могут полностью воспроизвести.

Исключительная способность к управлению властью

Тиристоры могут управлять чрезвычайно высокими напряжениями и токами, которые превышают практические пределы большинства транзисторов. Отдельные тиристорные устройства доступны с рейтингами напряжения, превышающими 6000 вольт, и рейтингами тока, превышающими 5000 ампер. Эта возможность позволяет тиристорным системам управлять уровнями мощности, измеренными в мегаваттах, сохраняя при этом разумные подсчеты устройств и сложность системы.

Очень низкое падение напряжения

Переднее падение напряжения проводящего тиристора обычно находится в диапазоне от 1,0 до 2,5 вольт, независимо от проводимого тока. Это низкое напряжение на состоянии минимизирует потери проводимости и повышает общую эффективность системы, особенно в приложениях с высоким током, где напряжения насыщения транзисторов приводят к значительно более высокому рассеиванию. Снижение тепловой нагрузки также упрощает требования к системе охлаждения.

Высокочастотный ток выдерживает

Тиристоры обладают замечательной способностью выдерживать токи всплеска, намного превышающие их непрерывные рейтинги. Коротковременное ток всплеска в 10-20 раз выше номинального тока можно терпеть без отказа устройства. Эта характеристика оказывается бесценной в приложениях, подверженных условиям неисправности, токам вторжения или переходным перегрузкам, где альтернативные устройства будут катастрофически выходить из строя.

Надежность и надежность

Физическая конструкция тиристоров делает их по своей сути устойчивыми к электрическим напряжениям, таким как переходные напряжения, токовые всплески и высокие события dV / dt. Их способность поглощать и выживать в условиях неисправности, которые разрушают другие полупроводниковые устройства, способствует надежности системы, особенно в промышленных средах, где качество мощности может быть менее идеально. Системы на основе тиристора обычно демонстрируют эксплуатационные сроки службы, измеренные в десятилетиях.

Простые требования Gate Drive

В отличие от транзисторов, для поддержания проводимости которых требуются непрерывные сигналы привода затвора, тиристорам для инициирования проводимости нужен лишь короткий импульс. Эта характеристика упрощает конструкцию затворной схемы привода и снижает требования к мощности для системы управления. Во многих приложениях простой импульсный трансформатор или контур емкостного разряда обеспечивает адекватный привод затвора, устраняя необходимость в сложных изолированных источниках питания.

Вызовы и стратегии смягчения последствий высокочастотной операции

Несмотря на многочисленные преимущества, тиристоры сталкиваются со значительными проблемами при работе на более высоких частотах. Понимание этих ограничений и реализация соответствующих стратегий смягчения последствий имеет важное значение для успешного проектирования системы.

Ограничения по времени

Врожденное время выключения тиристоров накладывает фундаментальный предел максимальной рабочей частоты. Во время выключения хранимый заряд должен быть снят с переходов устройства до восстановления возможности блокировки. Этот процесс обычно требует от 5 до 50 микросекунд, в зависимости от конструкции устройства и условий эксплуатации. Для частот выше 10 килогерц время выключения может занимать значительную часть периода переключения, ограничивая практический рабочий цикл и увеличивая потери переключения.

Смягчение стратегий: Использование быстро переключающихся тиристоров с уменьшенным временем выключения является основным подходом. Такие методы, как допинг золота, электронное облучение и оптимизированная геометрия устройства, могут сократить время выключения до 5 микросекунд или менее. Кроме того, работа при пониженных температурах перехода и использование принудительных коммутационных схем может помочь уменьшить эффективный интервал выключения.

dV/dt Включено

Быстрое изменение напряжения на тиристоре может вызвать непреднамеренное включение через емкостную связь внутри структуры устройства. Конъюнкционная емкость создает ток смещения, который может вызвать механизм регенеративной обратной связи, заставляя тиристор проводить, когда он должен оставаться блокирующим. Эта проблема становится более серьезной на более высоких частотах, где переходы напряжения по своей природе быстрее.

Смягчение стратегий: Ступенчатые цепи, соединенные через тиристор, ограничивают скорость повышения напряжения, обеспечивая альтернативный путь для тока смещения. Сети RC snubber являются наиболее распространенным решением, с значениями компонентов, тщательно отобранными для подавления dV/dt без введения чрезмерных потерь. Сопротивления катодов-ворот также помогают, отводя ток смещения от соединения ворот. Некоторые конструкции тиристора включают интегрированную защиту dV/dt через модифицированные структуры ворот.

Переключение потерь на высоких частотах

Пока тиристоры демонстрируют низкие потери проводимости, их потери переключения становятся все более значительными на более высоких частотах.И включения, и выключения переходов включают интервалы, где перекрываются напряжение и ток, генерируя энергию, которая должна рассеиваться по мере нагревания.По мере увеличения частоты переключения эти потери накапливаются пропорционально, в конечном итоге превышая тепловую емкость устройства.

Смягчение стратегий: Методы мягкого переключения, такие как переключение с нулевым напряжением (ZVS) и переключение с нулевым током (ZCS), могут значительно уменьшить потери переключения. В топологиях резонансных преобразователей тиристор переключается, когда напряжение или ток естественно равны нулю, минимизируя перекрытие тока напряжения во время переходов. Тщательная тепловая конструкция, включая соответствующее потепление и активное охлаждение, остается необходимой для высокочастотной работы.

Gate Drive Размышления

Высокочастотная работа требует тщательного внимания к характеристикам привода затвора. Импульс затвора должен быть достаточно сильным и быстрым, чтобы обеспечить быстрое и равномерное включение по всей области устройства. Неадекватный привод затвора может привести к локализованной проводимости, приводящей к горячим точкам и потенциальному отказу устройства. Кроме того, схема привода затвора должна поддерживать изоляцию от высоковольтной цепи питания при обеспечении надежного запуска на рабочей частоте.

Смягчение стратегий: Высокоточные драйверы затвора с быстрым временем подъема обеспечивают полное и равномерное включение. Пульсовые трансформаторы с ферритовыми ядрами обеспечивают гальваническую изоляцию при доставке требуемого тока затвора. Для очень высоких частот, запуск волоконно-оптических затворов устраняет проблемы изоляции и обеспечивает иммунитет к электромагнитным помехам.

Сравнительный анализ с альтернативными коммутационными устройствами

Выбор оптимального коммутационного устройства для высокочастотных приложений требует тщательного сравнения тиристоров с альтернативными полупроводниковыми технологиями.

Тиристоры против силовых MOSFET

Мощные MOSFET обеспечивают превосходную скорость переключения, при этом время переключения измеряется в наносекундах, а не микросекундах. Это делает их предпочтительным выбором для приложений выше 100 килогерц. Однако MOSFETs демонстрируют более высокие потери проводимости при высоких токах из-за их положительного температурного коэффициента сопротивления. Тиристоры поддерживают более низкие потери проводимости при высоких плотностях тока, обеспечивая преимущество эффективности в приложениях с высокой мощностью. MOSFET также более восприимчивы к токам перенапряжения и переходным напряжениям, ограничивая их прочность в требовательных средах.

Тиристоры против IGBT

Изолированные затворные биполярные транзисторы сочетают в себе высокое входное сопротивление MOSFET с низкими потерями проводимости биполярных устройств. IGBTs предлагают более быстрое переключение, чем тиристоры, с временем выключения обычно менее 1 микросекунды, и они обеспечивают полный контроль над включением и выключением через затвор. Однако IGBT имеют более высокие перепады напряжения вперед, чем тиристоры, на очень высоких уровнях тока и более уязвимы для защелкивания и короткого замыкания. Для приложений выше 10 килогерц IGBT обычно превосходят тиристоры, в то время как тиристоры остаются конкурентоспособными на более низких частотах с более высокими уровнями мощности.

Thyristors vs. Silicon Carbide Devices (недоступная ссылка)

Кремниевые карбидные MOSFET и диоды Шоттки представляют собой передовые технологии силовых полупроводников, предлагая чрезвычайно быстрое переключение, высокую температурную способность и низкие потери. Устройства SiC могут работать на частотах, превышающих 1 мегагерц при работе с напряжениями в 1200 вольт и выше. Однако устройства SiC остаются значительно дороже тиристоров и пока недоступны при очень высоких значениях тока и напряжения, которых достигают тиристоры. Для самых высоких уровней мощности и наиболее чувствительных к затратам приложений тиристоры сохраняют сильную конкурентную позицию.

Проектирование систем с высокой частотой на основе тиристора

Успешное внедрение тиристоров в высокочастотных коммутационных приложениях требует тщательного изучения нескольких конструктивных соображений, которые непосредственно влияют на производительность и надежность системы.

Термический менеджмент

Высокочастотная работа неизбежно увеличивает потери переключения, предъявляя большие требования к системе управления теплом. Потери от переключения, хотя и относительно низкие, сочетаются с потерями переключения для генерации тепла, которое должно быть эффективно удалено. Тепловое моделирование должно учитывать как стационарные, так и переходные условия, включая сценарии неисправности, когда текущие всплески могут кратковременно повышать температуры перехода. Соответствующие системы теплоотвода, принудительного воздушного охлаждения или жидкостного охлаждения должны быть рассчитаны для поддержания температуры перехода в спецификациях производителя, как правило, ниже 125 градусов Цельсия для кремниевых тиристоров.

Дизайн Snubber Circuit

Схемы Snubber защищают тиристоры от чрезмерного dV/dt и подавляют переходные напряжения, которые могут вызвать ложное срабатывание или повреждение устройства. Конденсатор snubber ограничивает скорость повышения напряжения по всему устройству, в то время как резистор серии контролирует ток разряда при включении тиристора. Значения компонентов должны быть тщательно оптимизированы для балансировки эффективности защиты от рассеивания мощности. В усовершенствованных конструкциях snubber могут использоваться поляризованные снубберы, схемы рекуперации энергии или недиссипативные снубберы для повышения общей эффективности системы.

Серия и параллельные операции

Для приложений, требующих напряжения или тока, превышающих значения отдельных устройств, тиристоры могут быть соединены последовательно или параллельно. Серийное соединение требует тщательного разделения напряжения, чтобы гарантировать, что ни одно устройство не превышает его рейтинг блокирующего напряжения. Статические резисторы распределения напряжения и динамические распределительные снубберы напряжения необходимы. Параллельное соединение требует внимания к разделению тока, с отклонениями, вызванными изменениями переднего падения напряжения и тепловых характеристик. Отказ от 10 до 20 процентов обычно применяется для учета несовершенного разделения между устройствами.

Дизайн воротных схем Gate Drive Circuit

Схема привода затвора должна обеспечивать достаточный ток с соответствующим временем подъема для обеспечения надежного и равномерного включения. Типичные требования к току затвора варьируются от 100 миллиампер для малых тиристоров до 10 ампер для больших устройств. Продолжительность импульса затвора должна быть достаточной для обеспечения того, чтобы анодный ток превышал ток затвора до удаления сигнала затвора. Для высокочастотной работы привод затвора также должен быстро восстанавливаться для доставки следующего импульса триггера с требуемой частотой повторения.

Последние достижения и будущие направления

Технология тиристора продолжает развиваться, движимая требованиями к более высоким скоростям переключения, большей плотности мощности и повышенной надежности.Некоторые новые тенденции обещают расширить возможности тиристоров в высокочастотных приложениях.

Свето-триггерные тиристоры

Светоотводные тиристоры используют оптические импульсы, а не электрические сигналы для инициирования проводимости. Такой подход устраняет необходимость в затворных приводных цепях и обеспечивает полную электрическую изоляцию между системой управления и высоковольтной силовой цепью. Оптический пусковой механизм позволяет затворным приводам на чрезвычайно высоких скоростях и упрощает конструкцию последовательно соединенных тиристорных струн для высоковольтных применений. Достижения в мощных лазерных диодах и волоконно-оптических компонентах продолжают улучшать практичность и экономическую эффективность светоотводных тиристорных систем.

Широкий диапазон материалов

Исследования тиристоров, изготовленных из карбида кремния и нитрида галлия, обещают существенное улучшение скорости переключения и частотности. Более широкий диапазон этих материалов обеспечивает более высокую температурную работу, снижение токов утечки и более быструю динамику несущей. Тиристоры карбида кремния продемонстрировали блокирующие напряжения, превышающие 10 киловольт, при переключении на частотах, значительно превышающих сопоставимые кремниевые устройства. По мере созревания производственных процессов тиристоры широкого диапазона могут открывать новые области применения, ранее недоступные для технологии тиристора.

Расширенная упаковка и интеграция

Инновации в упаковке устройств направлены на снижение паразитных индуктивностей и емкостей, ограничивающих высокочастотную производительность. Пакеты пресс-пакета и модулей обеспечивают низкоиндуктивные соединения и улучшенное управление температурой. Интеграция драйверов затвора, компонентов снуббера и цепей защиты непосредственно в упаковку тиристора снижает сложность внешних цепей и улучшает производительность переключения. Эти достижения позволяют системам на основе тиристора достигать более высоких рабочих частот с уменьшенными электромагнитными помехами и большей надежностью.

Гибридные и каскадные конфигурации

Инженеры все чаще объединяют тиристоры с другими полупроводниковыми устройствами, чтобы использовать преимущества каждой технологии. Гибридные конфигурации, использующие тиристоры последовательно с транзисторами с быстрым переключением, позволяют работать с мягким переключением, что уменьшает потери выключения тиристора. Каскадные устройства позволяют быстродействующим устройствам с более низким напряжением помогать коммутации тиристоров с более высоким напряжением, расширяя их частотный диапазон. Эти гибридные подходы представляют собой прагматичный путь к достижению мощности тиристоров с коммутационной производительностью современных транзисторных технологий.

Примеры реализации конкретных приложений

Изучение реальных реализаций дает представление о том, как тиристоры успешно развертываются в высокочастотных приложениях переключения питания.

Средние частоты индукционного нагревательного питания

Типичная система индукционного нагрева средней частоты, работающая на 3-10 килогерц, использует быстро переключающиеся тиристоры в полномостовой или полумостовой резонансной инверторной топологии. Тиристорный переключатель при нулевых токовых пересечениях для минимизации потерь выключения, достижения общей эффективности системы, превышающей 90 процентов. Уровни мощности варьируются от 50 киловатт до нескольких мегаватт, при этом выбор тиристора определяется требуемой способностью блокировки напряжения и током. Сети Snubber тщательно разработаны для управления dV/dt во время интервалов коммутации, а система привода ворот обеспечивает импульсное срабатывание, синхронизированное с резонансной частотой резервуара.

Высоковольтная передача постоянного тока

Системы передачи постоянного тока высокого напряжения полагаются на тиристорные клапаны, собранные из последовательно соединенных устройств, для достижения блокирующих напряжений в несколько сотен киловольт. В то время как эти системы работают на частоте линии, а не на высокой частоте, переходные переходы включают очень высокие значения dV / dt, которые требуют тщательного выбора тиристора и конструкции снуббера. Свето-запускные тиристоры все чаще используются для устранения сложности изоляции привода затвора на этих экстремальных уровнях напряжения.

Заключение

Тиристоры продолжают играть незаменимую роль в высокочастотных приложениях переключения питания, обеспечивая уникальную комбинацию мощности, эффективности и надежности, которую альтернативные полупроводниковые устройства не могут полностью воспроизвести.В то время как проблемы, связанные со временем выключения, чувствительностью к dV / dt и потерями переключения, ограничивают их частотный диапазон по сравнению с транзисторами, продолжающиеся достижения в дизайне устройств, упаковке и топологии схем продолжают раздвигать границы производительности тиристора.

Для инженеров, проектирующих системы переключения большой мощности, понимание сильных сторон и ограничений тиристоров имеет важное значение для принятия обоснованных решений о выборе устройства. Выбор между тиристорами, IGBT, MOSFET и новыми устройствами с широким диапазоном частот зависит от тщательного рассмотрения требований к напряжению и току, рабочих частот, целевых показателей эффективности, тепловых ограничений и целей затрат. Во многих приложениях с высокой мощностью, особенно тех, которые работают ниже 10 килогерц с уровнем мощности, превышающим 100 киловатт, тиристоры остаются оптимальным выбором.

По мере продолжения исследований материалов с широким диапазоном и передовой упаковкой технология тиристора, вероятно, будет распространяться на более высокочастотные области и новые области применения. Фундаментальные преимущества структуры тиристора & #8212; низкие потери проводимости, высокая способность к току всплеска и упрощенный привод шлюза & #8212; обеспечить его постоянную актуальность в развивающемся ландшафте силовой электроники. Для конкретных технических спецификаций и руководства по применению, такие ресурсы, как отраслевая публикация Power Electronics и примечания производителя приложений от Infineon Technologies предоставляют подробную информацию о дизайне. Дополнительный справочный материал по теории тиристора и приложениям доступен от Electrical4U и IEEE Xplore Digital Library .