Как определить области вырезания и насыщения в биполярных транзисторах

Понимание областей работы биполярных транзисторов перехода (BJT) имеет важное значение для проектирования и анализа электронных схем. Области отсечения и насыщения являются двумя фундаментальными состояниями, которые определяют, как BJT ведет себя в цепи.

Выявление региона Катоф

Область отсечения возникает, когда соединение база-излучатель не смещено вперед. В этом состоянии транзистор по существу выключен, и ток не течет от коллектора к излучателю. Чтобы идентифицировать эту область, проверьте напряжение базы-излучателя (V BE). Если V BE меньше примерно 0,7 В для кремниевых BJT, транзистор находится в отсечке.

В области отсечения ток основания (I B) и ток коллектора (I C) почти равны нулю.Транзистор действует как открытый переключатель в этом состоянии.

Определение региона насыщения

Область насыщения возникает, когда соединения база-излучатель и база-коллектор оба смещены вперед. В этом состоянии транзистор позволяет максимальному потоку тока от коллектора к излучателю. Чтобы определить, находится ли BJT в насыщении, проверьте напряжение коллектор-излучатель (V CE). Если V CE близок к 0,2В-0,3В, транзистор насыщен.

Кроме того, убедитесь, что базовый ток (I B) достаточно высок, чтобы привести транзистор в насыщение, как правило, около одной десятой тока коллектора (I C). При насыщении транзистор ведет себя как закрытый переключатель, позволяя максимальному потоку тока.

Краткое изложение ключевых показателей