Пороговое напряжение является ключевым параметром в работе MOSFET, указывающим минимальное напряжение «от входа к источнику», необходимое для включения устройства. Определение этого напряжения точно необходимо для проектирования и анализа схемы. Это руководство обеспечивает простой способ найти пороговое напряжение посредством измерения и анализа.

Понимание порогового напряжения

Пороговое напряжение (V]th) — это напряжение, при котором MOSFET начинает проводить ток между стоком и источником. На него влияют условия изготовления устройства, температура и смещения. Точное измерение обеспечивает правильную работу устройства в пределах параметров схемы.

Подготовка к измерению

Перед измерением убедитесь, что MOSFET правильно подключен в испытательной цепи. Используйте источник питания для подачи напряжения затвора, резистор последовательно с дренажом для ограничения тока и вольтметр для измерения напряжения дренажного источника. Держите терминал источника заземленным.

Пошаговая процедура измерения

  • Установите напряжение дренажного источника (V ]DS ) до небольшого постоянного значения, такого как 0,1 В.
  • Постепенно увеличивайте напряжение источника затвора (V]GS) с 0V вверх.
  • Следите за током стока (I D ) или напряжением стока на резисторе.
  • Определите значение V GS , при котором ток стока начинает значительно увеличиваться.
  • Это VGS является приблизительным пороговым напряжением.

Альтернативный метод: трансферный характерный сюжет

Установите ток стока (I ]D ) против напряжения затвора (VGS) для создания кривой характеристик передачи. Пороговое напряжение обычно идентифицируется как VGS, при котором ID достигает определенного небольшого уровня тока, такого как 1 мкА.