Как рассчитать напряжение коллектора-излучателя в транзисторных цепях

Понимание того, как вычислять напряжение коллектор-эмиттер (V]CE) имеет важное значение для анализа транзисторных схем. Это напряжение указывает на состояние работы транзистора и помогает в проектировании и устранении неполадок электронных устройств.

Основная концепция VCE

Напряжение коллектор-эмиттер — разность напряжений между коллекторным и эмиттерным терминалами биполярного транзистора (BJT). Это ключевой параметр, определяющий, находится ли транзистор в режиме отсечки, активного или насыщенного.

Вычисление VCE в цепи

Для расчета VCE, идентифицируйте напряжение питания и напряжения на других компонентах, подключенных к коллектору и излучателю. Используйте Закон напряжения Кирхгофа (KVL) для суммирования напряжений вокруг контура цепи.

Например, в простой конфигурации общего эмиттера:

Пример расчета

Предположим, что напряжение питания (V]CC) составляет 12 В, резистор коллектора (R]C) составляет 2 кОм, а ток коллектора (I]C) составляет 1 мА. Напряжение коллектора (V]C:

VC = VCC — IC × RC = 12V — (0.001A × 2000Ω) = 12V — 2V = 10V.

Если резистор излучателя (R]E) составляет 1 кОм, а ток излучателя (IE) составляет приблизительно 1 мА, то напряжение излучателя (VE) составляет:

VE = IE × RE = 0,001A × 1000Ω = 1V.

Наконец, напряжение коллектор-эмиттер (V]CE) является:

VCE = VC — VE = 10V — 1V = 9V.