Точное измерение параметров MOSFET необходимо для проектирования и тестирования электронных схем. В лаборатории используются различные методы для определения ключевых характеристик, таких как пороговое напряжение, транспроводность и ток стока. Эти измерения помогают понять поведение устройства и обеспечить правильную работу в приложениях.

Измерение порогового напряжения

Пороговое напряжение (V]th) — минимальное напряжение «от затвора к источнику», необходимое для включения MOSFET. Для его измерения простая установка включает в себя применение напряжения «отвод-источник» и постепенное увеличение напряжения «отвода» при мониторинге тока «отвода». Vth идентифицируется в точке, где ток «отвода» начинает значительно увеличиваться.

Определение транспроводимости

Транспроводность (g]m) указывает, насколько эффективно напряжение затвора управляет током стока. Она рассчитывается путем измерения изменения тока стока относительно изменения напряжения затвора при постоянном напряжении стока. Использование криволинейного индикатора или анализатора параметров упрощает этот процесс, обеспечивая точные значения gm.

Текущее измерение дренажа

Измерение тока стока (I]D) включает в себя применение известного напряжения стока и изменение напряжения затвора. Использование блока измерения источника или анализатора полупроводниковых параметров позволяет получать точные показания тока.Плотирование IDDGS и VDS помогает в извлечении различных параметров, таких как ток насыщения и подвижность.

Дополнительные методы тестирования

Другие методы включают измерения емкости-напряжения (C-V) для допинг-профилей и анализ подпорогового наклона для качества устройства. Эти тесты обеспечивают всестороннее понимание поведения MOSFET и полезны для характеристики устройства и контроля качества.