Малые сигнальные модели являются важными инструментами при анализе транзисторных схем. Они упрощают сложное нелинейное поведение в линейные приближения, облегчая понимание и прогнозирование производительности схемы в конкретных рабочих точках.

Понимание моделей малых сигналов

Модель малого сигнала представляет поведение транзистора для небольших вариаций вокруг его точки смещения, она заменяет нелинейное устройство линейными компонентами, такими как резисторы и управляемые источники, которые приближают реакцию транзистора на малые входные сигналы.

Применение моделей малых сигналов

Для анализа схемы с использованием модели с малым сигналом выполните следующие действия:

  • Определить точку смещения транзистора в цепи.
  • Замените транзистор на его малосигнальную эквивалентную модель.
  • Проанализируйте полученную линейную схему, чтобы найти напряжения и токи.

Общие параметры малых сигналов

Ключевые параметры, используемые в моделях малых сигналов, включают:

  • Транспроводимость (gm): Отношение изменения тока коллектора к изменению напряжения базового эмиттера.
  • Сопротивление входа (rπ): Сопротивление, ищущее основание биполярного транзистора перехода.
  • Сопротивление вывода (ro): Сопротивление, ищущее коллектор транзистора.