Förstå strömavbrott i MOSFETs under högfrekvent växling är avgörande för att utforma effektiva elektroniska kretsar. Korrekta beräkningar hjälper till att förhindra överhettning och säkerställa tillförlitlig drift av kraftenheter.
Grunderna för Power Dissipation i MOSFETs
Strömavledning i en MOSFET sker huvudsakligen på grund av ledning och byte av förluster. Ledningsförlust sker när enheten är i on-state, medan byte av förlust inträffar under övergången mellan på och utanför stater.
Beräkning av föroreningar
Ledningsförlust kan uppskattas med hjälp av formeln:
][[[]][[]]= I[]]][]]][]]] × R[]]]]]]]]]]]]]]]]][[[[FLT[[[[[[[]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[FLT]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]
där jag ] ] är lastströmmen och R]]] DS(on)]]] är MOSFET:s motståndskraft.
Beräkna växlingsförluster
Bytesförluster beror på spänningen, strömmen och växlingstiderna. Den ungefärliga formeln är:
][[]] [] = 0,5 × V]]]]]]] × I]] × (t]]]]]][[]]]][FL][[FL][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[F]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]
där V]] är avloppsspänningen, t]]]uppgång]]] och t]]] är uppgången och falltiderna, och f]] är växelfrekvensen.
Total Power Dissipation
Den totala strömavledningen är summan av ledning och byte av förluster:
][[[]]]][]]] = P[]]][]]][[]]][[[[]]]]]]]]
Ytterligare överväganden
Faktorer som enhetstemperatur, gateladdning och layout kan påverka strömavbrott. Korrekt värmesänkning och enhetsval är viktiga för att hantera termisk prestanda under högfrekvent växling.