Att välja rätt MOSFET för en krets innebär att förstå dess motstånd, känd som Rds(on) Denna parameter påverkar krafteffektivitet och värmegenerering. Korrekt beräkning av Rds(på) hjälper till att välja en enhet som uppfyller prestandakraven samtidigt som energiförlust minimeras.
Förstå Rds(på)
Rds(on) är motståndet mellan avlopps- och källterminalerna när MOSFET är helt påslagen. Lägre Rds(på) värden indikerar bättre ledning med mindre strömavspridning. Denna parameter anges i databladet och varierar med temperatur och gatespänning.
Beräkna Rds(on) i Circuit Design
För att beräkna de effektiva Rds(on) i en krets, överväga det maximala Rds(on) värdet som tillhandahålls av tillverkaren vid en viss grindspänning. Justera för temperatureffekter och driftsförhållanden. Formeln är enkel:
] Effektiva Rds(on) = Rds(on) vid angivna villkor[]
Faktorer som påverkar Rds(on) urval
- ]Gate Voltage:[] Se till att gate drive spänningen är tillräcklig för att helt slå på MOSFET, minimera Rds(på).
- ] Temperatur: Rds(på) ökar med temperatur, så anser termisk hantering.
- ] För närvarande krav: ] Välj en MOSFET med Rds(på) lågt nog för att hantera den maximala belastningsströmmen effektivt.
- ]Power Dissipation:] Beräkna effektförlust med P = I2 × Rds(on) för att säkerställa att termiska gränser inte överskrids.