On-resistance (R]]ds(on)[]) är en viktig parameter i MOSFET-enheter, vilket indikerar motståndet mellan avlopp och källa när enheten är påslagen. Korrekt beräkning av R ] ds(on)] hjälper till att utforma effektiva kretsar och välja lämpliga komponenter.
Förstå On-Resistance
On-resistance påverkas av enhetens fysiska egenskaper och driftsförhållanden. Det påverkar strömavspridning och värmegenerering i MOSFET. Lägre R []] ds(på)]]] värden är önskvärda för högeffektiva applikationer.
Steg för att beräkna motstånd
För att beräkna R ]] ds(on)[], mät spänningen sjunka över avlopps- och källterminalerna när MOSFET är helt på och delas av avloppsströmmen. Använd formeln:
][[]]][[] = V[]]]]]]]]][][[[[]]]]]
Praktiska överväganden
Se till att MOSFET fungerar inom sin specificerade gate spänning för att uppnå en sann on-state. Mätspänning och ström under stadiga förhållanden för att få korrekt R ] ds(on) ]] värderingar. Temperatur påverkar också motstånd; utföra mätningar vid den avsedda driftstemperaturen.
Ytterligare tips
- Använd en exakt multimeter eller källmätningsenhet för mätningar.
- Utför tester på enhetens rankade gatespänning.
- Rekordmätningar vid olika strömmar för att observera linjäritet.
- Tänk på termiska effekter under högströmstestning.