ตัวอย่างโลกแห่งความเป็นจริง ของการวิเคราะห์การล้มเหลว: จากความร้อนที่มากเกินไปไปยังการเชื่อม พารามิเตอร์

MOSFET ถูกใช้อย่างแพร่หลายในวงจรอิเล็กทรอนิกส์สําหรับการสลับและขยายสัญญาณ การเข้าใจโหมดความล้มเหลว ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือและการออกแบบ บทความนี้แสดงตัวอย่างโลกแห่งความเป็นจริงของการวิเคราะห์ MOSFET โดยเน้นที่ความร้อนและพารามิเตอร์ที่ลอยตัว

การ ทํา ให้ ความ ผิด ร้อน เกิน ไป

การทําความร้อนมากเกินไปเป็นสาเหตุทั่วไปของความล้มเหลว MOSFET การเพิ่มความร้อนสูงอาจทําลายการเชื่อมระหว่างตัวนํากึ่งตัวนํา ส่งผลให้เกิดการเสื่อมสภาพหรือความล้มเหลวในอุปกรณ์

การ วิเคราะห์ ความ ผิด พลาด เผย ให้ เห็น ว่า อุณหภูมิ ที่ พุ่ง สูง ขึ้น ทํา ให้ กระแส ไฟฟ้า ที่ รั่ว สูง ขึ้น เพิ่ม ขึ้น.

เส้นต่อเนื่องแบบพารามิเตอร์

การลอยตัวของพารามิเตอร์เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงของลักษณะ MSFET เมื่อเวลาผ่านไป ส่งผลต่อการทํางานวงจร การเปลี่ยนความถี่สูง แรงดันไฟฟ้าที่เลื่อนไปทีละขั้นๆ

การ ล็อก กังหัน ลม ที่ ทํา ให้ ผนึก ตัว และ การ ควบคุม อุณหภูมิ ให้ ดี ขึ้น ทํา ให้ การ เปลี่ยน แปลง แบบ พารามิเตอร์ ลด ลง.

โหมดผิดพลาดอื่น ๆ

การ ทํา งาน ของ เครื่อง ยนต์ ที่ มี ประสิทธิภาพ สูง อาจ ทํา ให้ เกิด ความ เสีย หาย ได้ มาก ขึ้น โดย ทํา ให้ เกิด ความ เสีย หาย อย่าง มาก ต่อ ระบบ ประสาท.

• เครียดมาก
• ความเสียหายทางกล
• ปัจจัย ทาง สิ่ง แวด ล้อม