วิธีคํานวณอัตโนมัติในอุปกรณ์โมสเฟ็ต

Off-ression ([FLT: 0] ads( on)[FLT:]] เป็นพารามิเตอร์ที่สําคัญในอุปกรณ์ MOSFET ระบุว่าการต้านทานระหว่างท่อและแหล่ง เมื่ออุปกรณ์เปิดทํางาน การคํานวณที่ถูกต้องของ R _ON ช่วยในการออกแบบวงจรประสิทธิภาพและเลือกส่วนประกอบที่เหมาะสม

การเข้าใจเมื่อ

การเพิ่มความเร็วจากคุณสมบัติทางกายภาพและสภาวะการทํางานของอุปกรณ์ มีผลกระทบต่อการเสียพลังงานและความร้อนใน MOSFET รุ่นล่าง (FLT: 0) value (FLT: 1) values (FLT: 1) is abel for application version.

ขั้น ตอน ต่าง ๆ ที่ จะ คํานวณ ความ สําเร็จ ของ คุณ

เพื่อคํานวณ R[[FLT: 0] ds (on)[FLT: 1) วัดแรงดันไฟฟ้าที่ไหลข้ามท่อและทางช่องกําเนิด เมื่อ MOSFET เต็มรูปแบบ และหารด้วยท่อส่งกระแส ใช้สูตร:

[[FLT: 0]]] R _{dds( on]} = V _{– –}] / [FLLT:4)]. _{. (FLT:6] [FLT: ⁇ [FLTT:7] .}

การ พิจารณา ที่ ใช้ ได้ จริง

เพื่อให้แน่ใจว่า MOSFET จะดําเนินการภายในค่าความดันของเกตที่ระบุไว้ เพื่อบรรลุค่าจริงในรัฐ วัดและสภาวะคงที่ เพื่อวัดค่า R[FLT: 0] ได้ถูกต้องตามค่าของอุณหภูมิดําเนินการที่ตั้งไว้

เคล็ดลับเพิ่มเติม

• ใช้หน่วยวัดหลายเมตรหรือหน่วยวัดแหล่งวัดที่ถูกต้อง
• ทดสอบด้วยแรงกดประตู
• บันทึกการวัดที่กระแสที่แตกต่างกัน เพื่อสังเกตความเป็นเส้นตรง
• ลองพิจารณาผลกระทบความร้อนระหว่างการทดสอบระดับสูง