วิธีระบุการเยื้องต่อการเยื้องต่อความเหมาะสมสูง

การเลือกรูปแบบ MOSFET ทางด้านขวาสําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ชั้นสูงนั้น จําเป็นต้องการความเข้าใจในการใช้งานแบบออนไลน์ (RDS(ON) พารามิเตอร์นี้มีผลกระทบกับการสูญเสียพลังงานและความร้อน การกําหนดค่าความแม่นยําของ RDS (ON) จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของวงจรได้สําเร็จ

การเข้าใจ MOSFET ON-Result

การใช้งานชั่วคราว คือ การต้านทานระหว่างระบบระบายน้ําและแหล่งกําเนิด เมื่อมีการปรับปรุง MOSFET เต็ม ซึ่งเป็นปัจจัยสําคัญในการสลับโปรแกรม โดยจะมีผลกับการสูญเสียการนําไฟฟ้าและความร้อน ค่า RDS แบบต่ํามักนําไปสู่ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

วิธีวัด RDs( on)

การวัด RDS(ON) เกี่ยวข้องกับการใช้แรงม้าของเกตที่ระบุไว้ เพื่อเปิดระบบ MOSFET และวัดแรงดันไฟฟ้าที่ไหลข้ามมันขณะที่กําลังผ่านกระแสไฟที่รู้จัก

[FLT: 0] RDS(ON) = Voltage plop / Drainn rata (

องค์ประกอบต่าง ๆ ที่ส่งผลกระทบต่อ RDs( on) ค่าต่าง ๆ

ตัวประกอบหลายอันมีผลต่อ RDs (on) ของ MOSFET รวมถึง:

• แรงดันแบบเกตต่อหนึ่งซอร์ส (Vgs)
• อุณหภูมิ
• รูปแบบการขยายภาพ
• การแก่ตัวลงของอุปกรณ์

สําคัญที่พิจารณาปัจจัยเหล่านี้ระหว่างการทดสอบ เพื่อตรวจสอบว่า RDs (in) ที่ถูกต้องและเชื่อถือได้ ในการวัดความเหมาะสมสูง