การวัดพารามิเตอร์ MOSFET อย่างถูกต้องนั้นจําเป็นสําหรับการออกแบบและทดสอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ วิธีการต่าง ๆ จะถูกใช้ในห้องทดลอง เพื่อกําหนดลักษณะเฉพาะตัว เช่น เทอร์โบ, เทอร์เทนเมนท์ทรานซ์, และท่อส่งข้อมูลในปัจจุบัน การวัดนี้จะช่วยในความเข้าใจพฤติกรรมอุปกรณ์ และตรวจสอบการทํางานที่เหมาะสมในโปรแกรม

โวลเทจ

เครื่องกําเนิดการ alm (V[FLT: 0) ที่ เป็นพลังงานขับเคลื่อนที่น้อยที่สุดที่ต้องใช้ในการหมุน MSFET เพื่อวัดมัน การการตั้งค่าง่ายๆ เกี่ยวข้องกับการใช้ระบบไฟฟ้าระบายน้ํา และเพิ่มแรงดันน้ําในประตูค่อยๆเพิ่มขึ้นในขณะที่กําลังติดตามกระแสลมในปัจจุบัน Vth[FLT]. . ระบุว่าการระบายน้ําเริ่มเพิ่มขึ้นตรงไหน

การปรับเทียบข้อมูล

การนําร่อง (G(FLT: 0). สืบค้นเมื่อ แสดงถึงประสิทธิภาพของแรงดันของประตูควบคุมกระแสกระแสในปัจจุบัน โดยคํานวณโดยการวัดการเปลี่ยนแปลงของกระแสไฟด้วยการใช้แรงขับเคลื่อนของประตูที่คงที่ โดยใช้ตัวติดตามเส้นโค้งหรือพารามิเตอร์ทําให้กระบวนการนี้ง่ายขึ้น ทําให้ค่า g[FT:2] แม่นยํา

วัดค่าปัจจุบันแบบแห้ง

การวัดกระแส (I[FLT: 0] D เกี่ยวข้องกับระบบไฟฟ้าแบบ WELT: 1] และปรับระดับความดันของระบบน้ําตามระบบน้ําที่รู้จัก และปรับระดับความดันของประตูให้แตกต่างกัน โดยใช้หน่วยย่อย [FLT] [FT] ตัววิเคราะห์กึ่งตัวดําเนินการกึ่งกึ่งตัวดําเนินการอัตโนมัติ อนุญาตให้อ่านได้ถูกต้องได้อย่างถูกต้อง pploading I[FLT: 3] [FLT] ร่วมกับ V[FT] [FTT] [FT] [FTV] [FTLLLL[FLLL] [FLTLLLLLLLL]] [LLLLLFS] และอื่น ๆ ตัวแปรต่าง ๆ ในรูปแบบการแยกตัวแปรแบบอื่น ๆ ในรูปแบบแกนย่อยของ พารามิเตอร์ปัจจุบัน เช่น พารามิเตอร์แบบ ]

วิธีการทดสอบเพิ่มเติม

วิธีอื่น ๆ เช่น การวัดมุม- โวลต์ (C-V) สําหรับการปรับโพรไฟล์การวาดและค่าความลาดของอุปกรณ์ ต่ํากว่าการวิเคราะห์คุณภาพภาพ (Doxsholt) การทดสอบเหล่านี้จะให้ความเข้าใจครอบคลุมพฤติกรรม MOSFET และมีประโยชน์สําหรับการจัดรูปแบบอุปกรณ์และการควบคุมคุณภาพ