หลักการการออกแบบสําหรับเครื่องขยายเสียงแบบต่ํา (Mosfit Amppifier) ในระบบเสียง

การขยายเสียงแบบ MOSFET มีองค์ประกอบสําคัญของระบบเสียงแบบมีคุณภาพสูง การขยายเสียงอย่างชัดเจน โดยระบบเสียงรบกวนและบิดเบือน การเข้าใจหลักการการออกแบบที่สําคัญ สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพเสียงและคุณภาพเสียงได้ง่ายขึ้น

เลือก MOSFET ตัวขวา

การเลือก MOSFET ที่เหมาะสม เป็นขั้นตอนแรกในการออกแบบเครื่องขยายเสียงต่ํา มองหาอุปกรณ์ที่มีประตูต่ํารั่วในปัจจุบัน และระบบรับส่งสูง คุณสมบัติเหล่านี้มีส่วนช่วยลดระดับเสียงรบกวน และช่วยขยายสัญญาณเสียงได้ดีขึ้น

การ มอง ใน แง่ ดี

การให้อคติที่เหมาะสม ทําให้แน่ใจว่า MOSFET ทํางานในพื้นที่ที่เหมาะสมที่สุด เสียงรบกวนและบิดเบือน

การจัดวางและป้องกัน

การ ป้องกัน ส่วน ประกอบ ที่ สําคัญ จาก การ รบกวน ของ กระแส ไฟฟ้า ยัง ช่วย ลด สัญญาณ เสียง รบกวน ที่ ไม่ พึง ประสงค์ อีก ด้วย.

• ใช้พาธของสัญญาณแบบย่อ
• การทําให้เทคนิคการกักบริเวณเหมาะสม
• แยกพลังงานและสัญญาณ
• การ ทํา งาน เป็น เครื่อง ป้องกัน ส่วน ประกอบ สําคัญ