ออกแบบ โวลต์ชัน โวลต์ โฮลด์: การ คํานวณ และ การ พิจารณา ที่ ใช้ ได้ จริง

การออกแบบเครื่องทรานซิสเตอร์เหล่านี้เกี่ยวข้องกับการคํานวณที่แม่นยํา และพิจารณาอย่างรอบคอบถึงคุณสมบัติวัสดุและโครงสร้างอุปกรณ์ เพื่อบรรลุความแรงของขีดจํากัดที่ต้องการ

การ เข้าใจ โวลต์ ยึด

เทอร์โบของขีดจํากัด (V[FLT: 0] ที่ เป็นพลังงานที่น้อยที่สุดที่ระบบไฟฟ้าประตูถึงแหล่งย่อยจําเป็นในการสร้างช่องทางนําไฟฟ้าระหว่างท่อและแหล่ง

การคํานวณสําหรับโวลต์ที่ต่ํา

การคํานวณ V[FLT: 0] ที่ เกี่ยวข้องกับการพิจารณากระแสไฟฟ้าแบนแบนแบนไฟฟอเรชัน, แฟร์มีมีศักยภาพ และค่าใช้จ่ายในออกไซด์และกึ่งตัวนําร่อง สมการง่ายคือ:

[FLT: 0] V _ที่ = V _{FB[FLTT]]] + 2 (FLTT:5] F (FLTT:6) + (F[FLTTTT: 6] +[FLTL: 7] ⁇ (FLLLE[FTTT: 8]] /[F[FLT][LLT][FLLT]][FF]] [FF]] [2]}

ที่ V[FLT: 0] FB เป็นพลังงานไฟฟ้าแบน: ⁇ _{F[FLTT:3] เป็นเอฟเฟคเอฟฟอคเอฟยูวีเลฟเลฟ (FLTT:4) – (FLTT:1) เป็นประจุลดค่าธรรมเนียมการเสียค่า และ C[FLT: 6] Ox[FT][FT]] เป็นค่าปรับระดับความหนาของสารอ็อกซิเจนติชัน และระดับความหนาสามารถ[FTLFTLL]] ต่ํากว่า (FTLLFLF]].}

การ พิจารณา ที่ ใช้ ได้ จริง

การออกแบบทรงสูง MOSFETs ต้องการความสมดุลระหว่างต่ํา V[FLT: 0]th และเสถียรภาพของอุปกรณ์ต่ําเกินไป ขีดจํากัดสามารถนําไปสู่การรั่วไหลเพิ่มขึ้นกระแสเสียงและความไวแสง sussoftuccess putific.

การยอมรับการขยายตัวของสารสนเทศ ผลกระทบต่ออุณหภูมิ และกระบวนการต่าง ๆ ยังมีผลกระทบต่อการทํางานของอุปกรณ์ด้วย

เคล็ดลับการออกแบบคีย์

• ใช้ substrates เล็กน้อยเพื่อลด V[FLT: 0]th.
• ความหนาของออกซิเจนลดลง ในขณะที่ยังน่าเชื่อถือ
• โอปติมิมินัส โปรไฟล์การทําตัวกลมกลืน
• การเพิ่มความซับซ้อนของกระบวนการ ที่ซับซ้อนเพื่อควบคุมความหลากหลาย