การ เข้าใจ ว่า การ ตัด ส่วน และ ความ ยืดหยุ่น ของ ทรานซิสเตอร์ ที่ เกี่ยว ข้อง กับ การ เชื่อม ต่อ ระหว่าง ไบ โอ ที ส (BJT) เป็น สิ่ง สําคัญ เพื่อ จะ ออก แบบ ระบบ เปลี่ยน แปลง ที่ ไว้ ใจ ได้.
โวลเทจในรุ่น BJT
ความแรงม้าตัดต่อเป็นแรงม้าที่ต่ําที่สุด (V[FLT: 0] BE[FLT: 1] ต้องการเปิดเครื่องทรานซิสเตอร์ (FT: 1) เมื่อ V[FT:2] ] (FLT:3] อยู่ใต้ธรณีประตูนี้ ตัวแปลงยังอยู่ในภูมิภาคการตัดส่วน, ทําหน้าที่เป็นปุ่มเปิด, โดยทั่วไปแล้ว ตัวเร่งนี้อยู่ที่ 0. 0 สําหรับ ซิลิคอน BTs
เพื่อ มั่นใจ ว่า เครื่อง แปร เสียง จะ เปลี่ยน ระบบ ทรานซิสเตอร์ อย่าง เต็ม ที่ ควร เก็บ แรง ดัน ของ ไดรฟ์ ไว้ ใต้ ระดับ การ ตัด.
โวลเทจในสลับรูปแบบ BJT
เทอร์โมสเตชัน (V[FLT: 0] ICE(sat)[FLT: 1) เป็นแรงขับเคลื่อนของตัวสังเคราะห์เมื่อตัวทรานซิสเตอร์เต็มกําลัง มันระบุว่าแรงดันไฟฟ้าลดลงข้ามส่วนข้ามส่วนข้ามเกล็ดเลือด โดยปกติจะเป็น 0.1 ถึง 0.3 โวลต์สําหรับซิลิคอน บีเจที
Aché value V[FLT: 0] ICE(sat) เป็นสิ่งจําเป็นยิ่งสําหรับการเปลี่ยนที่มีประสิทธิภาพ เนื่องจากมันลดการสูญเสียพลังงานได้
การคํานวณโวลเทจสําหรับโรบลัสต์ ดีไซน์
การ ออก แบบ สวิทซ์ บี เจ ที ที่ แข็ง แรง เกี่ยว ข้อง กับ การ เลือก ฐาน และ แรง ไฟฟ้า ที่ สะสม ไว้ ซึ่ง กําหนด เขต ที่ ตัด ออก และ ความอิ่มสี อย่าง ชัดเจน.
นอก จาก นี้ การ คิด บัญชี เพื่อ ได้ ค่า ตัวแปร ที่ ต่าง กัน และ ผล กระทบ จาก อุณหภูมิ เป็น เรื่อง สําคัญ.
สรุป โวลต์
- [FLT: 0]. กรุงเทพฯ โวลเทจ (VBE]]: ~0.0.0.7V สําหรับซิลิคอน บีทีส
- [FLT: 0] – serviation Voltage (V[FLT: 1) CAE(SAT)]]]]: ~0.1-10.3V.
- [FLT: 0] Base Froad Voltage: ต้องอยู่เหนือการตัดส่วนเพื่อเปิด
- [FLT: 0] Colleter-Emter Voltage ควรอยู่ใต้ V CAE(ซาตา) in liets (FLT:3]