การ เข้าใจ วิธี คํานวณ ความ ต้านทาน และ ความ ไว ใน ตัว นํา ของ กึ่ง กึ่ง สังเคราะห์ นั้น จําเป็น อย่าง ยิ่ง สําหรับ การ ออก แบบ อุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์.
พื้น ฐาน ของ การ ต้านทาน และ ความ ประพฤติ
ความเหลื่อมล้ําคือการวัดว่าวัสดุนั้นต่อต้านการไหลของกระแสไฟฟ้าได้อย่างไร ความประพฤติคือส่วนกลับของการต้านทาน และแสดงว่ากระแสไฟสามารถผ่านวัสดุได้ง่ายขนาดไหน คุณสมบัติทั้งสองนี้ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบวัสดุและระดับการวางตัว
การคํานวณความต้านทาน
การต้านทาน (ho) ของตัวกึ่งตัวนําแสงแบบ doppd สามารถคํานวณโดยใช้สูตร:
[FLT: 0] [rho = fac q คูณ มิว คูณ N}
ที่ไหน:
- [FLT: 0].q = ค่าใช้จ่ายขั้นต้น (~1.6 x 10] -19 C]
- [FLT: 0]] =การเคลื่อนไหวของผู้ส่งค่าใช้จ่าย (cm]2/Vs]
- [FLT: 0]. เอ็น =ความเข้มข้นแบบดอปปิง (]-3]
โดย การ กําหนด ค่า นิยม ที่ รู้ จัก กัน คุณ สามารถ กําหนด การ ต้านทาน ของ ตัว นํา กึ่ง กึ่ง เลื้อย ได้.
การคํานวณความไวแสง
ความไวแสง (Sigma) ถูกคํานวณเป็นส่วนกลับของความต้านทาน:
[FLT: 0][Sigma = q คูณมิวคูณ N]
สูตร นี้ แสดง ว่า การ เพิ่ม ความ เข้ม ข้น หรือ การ เคลื่อน ไหว ของ เครื่อง บิน ทํา ให้ ความ ประพฤติ ของ ผู้ ป่วย ดี ขึ้น.
ตัว อย่าง ที่ ใช้ ได้ จริง
สมมติว่า ซิลิคอนกึ่ง ตัวนําแสง ถูกผสมด้วยความเข้มข้น 1 × 10 [FLT: 0] 17 cm ]-3. ถ้าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนคือ 1350 ซม.[FTT:4]2/VS].
ความเหลื่อมล้ํา:
[FLT: 0][rho = froject {(1.6 คูณ 10^19} คูณ 1 คูณ 10^17}
ความไวแสง:
[FLT: 0][Sigma = (1.6 คูณ 10^-19}) คูณ 1350 คูณ 1 คูณ 10^(174)