May-Oxide-Semi ตัวนําร่อง- elect-passistors (MOSFETs) ถูกใช้อย่างแพร่หลายในวงจรดิจิตอล เนื่องจากความเร็วและพลังงานต่ําของพวกเขามีการใช้งานที่สูงมาก การประยุกต์ใช้ MOSFET ที่เหมาะสมนั้นต้องใช้ความเข้าใจในหลักการการดําเนินการของพวกเขา การออกแบบ และวิธีการยิงปัญหาทั่วไป
หลัก การ ออก แบบ สําหรับ การ เปลี่ยน แปลง ทาง ดิจิตอล
ในวงจรดิจิตอล MOSFETs ถูกใช้เป็นปุ่มกด ส่วนมาก การค้นหาว่า พวกเขาดําเนินการอย่างมีประสิทธิภาพ เกี่ยวข้องกับการเลือกชนิดที่เหมาะสม (N-FS หรือ POW) และออกแบบวงจรวงจรเกตประตู เพื่อสลับตัวทรานซิสเตอร์อย่างเต็มที่หรือปิด การลําเอียงที่เหมาะสมป้องกันการนําไฟฟ้าบางส่วน ซึ่งอาจทําให้ความร้อน และลดความน่าเชื่อถือได้
การพิจารณาการออกแบบที่สําคัญ รวมถึงการจับพาราสิตแบบพาราสิตแบบมีปฏิสัมพันธ์กัน ซึ่งมีผลต่อการเปลี่ยนความเร็ว และการตรวจสอบว่าแรงดันไฟฟ้าทรานซิสเตอร์
ปัญหา ทั่ว ไป
ปัญหาทั่วไปในวงจร MOSFET รวมถึงการเปลี่ยนพฤติกรรมที่มากเกินไป, การเปลี่ยนแบบไม่คาดคิด และสัญญาณปัญหาความถูกต้อง การยิงเริ่มต้นจากการตรวจสอบแรงดันของไดรฟ์เกต
การวัดความต้านทานของแหล่งระบายน้ํา (RDS(on) ช่วยระบุได้ว่า MOSFET เสียหายหรือทํางานนอกเหนือค่ากําหนด
การ ปฏิบัติ อย่าง ดี ที่ สุด สําหรับ การ ดําเนิน งาน ที่ ไม่ มี ใคร ติ ได้
การ ใช้ ความ ร้อน ที่ เหมาะ สม และ การ ทํา ให้ ความ เย็น เย็น พอ เหมาะ ทํา ให้ ไม่ มี ความ สามารถ ใน การ ป้องกัน ตัว อย่าง เช่น การ ปรับ อากาศ และ การ พ่น น้ํา ใน อากาศ อาจ ป้องกัน การ ติด ไฟ และ การ กระตุก ได้