การจัด MOSFETs ในโปรแกรม RF ต้องการพิจารณาอย่างรอบคอบเกี่ยวกับคุณสมบัติและการออกแบบอุปกรณ์วงจร การคัดเลือกที่เหมาะสมและการใช้งานที่มีประสิทธิภาพ จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและประสิทธิภาพในวงจรความถี่สูง

การเข้าใจ RF MOSFETs

RF MOSFET เป็นเครื่องแปลงพลังงานพิเศษที่ออกแบบให้มีประสิทธิภาพในความถี่สูง โดยปกติจะมีสัญญาณรบกวนแบบพาราซิฟิคต่ํา และได้รับผลประโยชน์สูง ทําให้เหมาะกับเครื่องขยายสัญญาณ RF และสลับโปรแกรม

การ พิจารณา ที่ ใช้ ได้ จริง

เมื่อ การ เชื่อม โยง MSFT กับ RF วงจร การ เดิน ทาง ให้ พิจารณา ปัจจัย ต่อ ไป นี้:

  • [FLT: 0] สืบค้นตรงกับ: การตรวจสอบข้อมูลเข้าของอุปกรณ์และส่งออกเสียงตรงกับวงจร การโอนถ่ายพลังงานสูงสุด
  • [FLT: 0] Bising: การลําเอียงที่เหมาะสมเป็นสิ่งจําเป็นในการดําเนินงาน MOSFET ในภูมิภาคที่ต้องการ เช่น ความอิ่มสีสําหรับการขยายกิจการ
  • [FLT: 0] epartic elements: ย่อส่วน parastic Campacitances และ indouctances ที่มีผลต่อประสิทธิภาพสูง (FLT:1).
  • [FLT: 0] การจัดการระบบ: Adequat เย็นเพื่อป้องกันความร้อนที่มากเกินไประหว่างปฏิบัติการ

การคํานวณสําหรับ RF MOSFE (in อังกฤษ)

การคํานวณเกี่ยวข้องกับการกําหนดพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ เพื่อปรับแต่งประสิทธิภาพวงจรที่เหมาะสม พารามิเตอร์สําคัญคือ ตัวนํา (gm), การใส่ข้อมูล/ output capaccess (Cgs, Cgd) และได้รับ

ยกตัวอย่างเช่น ตัวนําการข้ามมิติสามารถประมาณได้โดยใช้:

[FLT: 0]gm = 2 * ID / (VGS - Vth)

โดยหมายเลขประจําตัวคือกระแสเลือด VGS คือระบบไฟฟ้าแบบเกท-ซอร์ส ส่วน Vth คือระบบไฟฟ้าที่เชื่อมต่อได้