Complementary Metaint-Oxide-Semi profile (CMOS) การออกแบบตรรกะพื้นฐานในอิเล็กทรอนิกส์แบบดิจิตอล เกี่ยวข้องกับการสร้างวงจรที่ใช้ทั้งประเภท p-s-MOSFETs และชนิด n เพื่อดําเนินการอย่างมีประสิทธิภาพ เข้าใจหลักการ, การคํานวณ และเคล็ดลับที่ใช้งานได้จําเป็นสําหรับการออกแบบระบบดิจิตอลที่เชื่อถือได้และต่ํา
หลักการของ CMOS December
CMOS วงจรตรรกะที่ดําเนินการโดยการใช้คู่ที่เติมข้อมูลแบบ p-type และตัวแปลงประเภท n เมื่อใช้สัญญาณที่มีตรรกะสูง ตัวแปลงค่า n ชนิด จะทําหน้าที่แทนตัว p-ชนิด และในทางกลับกัน ตรรกะที่ลดต่ํา การจัดระบบนี้จะทําให้การบริโภคพลังงานลดลงระหว่างรัฐที่เสถียร มีเพียงแค่ 1 ตัวทรานซิสเตอร์ ในคู่ทํางานในเวลาเดียวกัน
การ คํานวณ ใน การ ออก แบบ CMOS
การออกแบบการคํานวณโฟกัสพารามิเตอร์ เช่น เทอร์โบ, ไดรฟ์ปัจจุบัน, และการเปลี่ยนความล่าช้า สูตรกุญแจรวม:
- [FLT: 0] –Transpistor Size: เพื่อปรับความเร็วและพลังงาน ความกว้างของทรานซิสเตอร์ ถูกปรับตามความแรงของไดรฟ์ที่จําเป็น
- [FLT: 0] ประเมินค่า: กรมพาราซิต อิทธิพลการสลับเวลา และคํานวณตามมิติและผังต่างๆ
- [FLT: 0] การบริโภค: พลังที่ไม่ตายตัวประมาณใช้ P = α C^2 F โดย α คือกิจกรรมสลับที่ C คือ capacitance V คือ percutive และ f คือความถี่
ข้อ แนะ สําหรับ การ ให้ คํา แนะ นํา ที่ ใช้ ได้ จริง
ข้อ แนะ บาง อย่าง ที่ ใช้ ได้ จริง รวม ถึง:
- ทําให้แน่ใจว่าทรานซิสเตอร์ที่เหมาะสม เข้าสู่สมดุลความเร็วและอํานาจ
- ลดความจุของพาราซิติก ด้วยผังที่พอดีที่สุด
- ใช้ไฟฟ้าที่พอเหมาะ เพื่อลดการบริโภคพลังงาน
- ปกปิดจุดรบกวน ที่แน่นหนาสําหรับปฏิบัติการที่เชื่อถือได้
- ทํา การ จําลอง อย่าง ละเอียด ก่อน จะ คิด ค้น เพื่อ ระบุ ว่า มี ปัญหา อะไร บ้าง.