การ เข้าใจ ผล กระทบ ที่ ทํา ให้ เกิด การ กลั่น แกล้ง ใน สื่อ ต่าง ๆ ที่ มี ตัว อย่าง ของ โลก จริง ๆ

Dopping คือกระบวนการที่ใช้ในการแก้ไขคุณสมบัติไฟฟ้าของวัสดุกึ่งตัวนําไฟฟ้า โดยเพิ่มความไม่แน่นอนของวัสดุนั้น ๆ การนําสื่อสามารถเพิ่มหรือลดความประพฤติได้ สามารถทําให้การสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ บทความนี้สํารวจผลกระทบของการดูดสารและจัดแสดงตัวอย่างของการนําไปใช้ในโลกแห่งความเป็นจริง

ชนิดของ doping ในตัวนํากึ่ง

ส่วน ใหญ่ แล้ว มี การ พ่น สาร ident spop: n-type และ p ประเภท idp ประกอบด้วย การเพิ่มองค์ประกอบที่มีอิเล็กตรอนเพิ่ม เช่น ฟอสฟอรัส หรือ ไดเรกซ์ เพื่อเพิ่มประจุลบ

ผล กระทบ ของ การ พ่น สาร ไฟฟ้า

การถอดปลั๊กไฟฟ้าแบบ Dipping เปลี่ยนแปลงความประพฤติของตัวนําไฟฟ้ากึ่งตัวนําไฟฟ้าอย่างมีนัยสําคัญ วัสดุที่มีอิเล็กตรอนอยู่มากมาย ทําให้เป็นตัวนําไฟฟ้าที่ดี วัสดุแบบ P มีรูมากขึ้น ซึ่งช่วยลดการไหลของกระแสกระแสของกระแสกระแสในกระแสปัจจุบันได้ การรวมกันของชนิดเหล่านี้กลายเป็นพื้นฐานของไดไดร์ดส์ ทรานซิสเตอร์ และคอมไพล์

ตัว อย่าง ของ การ พ่น ยา

ในเซลล์แสงอาทิตย์ การสังเคราะห์สารสังเคราะห์สร้างการเชื่อม p-n ที่เปลี่ยนแสงอาทิตย์เป็นไฟฟ้า การถ่ายโอนสารทําการไหลเวียนของสารที่ควบคุมการไหลของกระแสและเปลี่ยนพฤติกรรม

ธาตุ โด มิง ที่ มี อยู่ ทั่ว ไป

• [FLT: 0]. โชสโฟรัส – ใช้สําหรับ n-type doping in ซิลิคอน (in slium)
• [FLT: 0] Broon - ใช้สําหรับ p-type doping in Sliumon
• [FLT: 0] Assicic - อีก n-type dant
• [FLT: 0]. กาเลี่ยม - ใช้สําหรับ p-type doping in at at complete parameconserver