การ เปรียบ เทียบ พิน โฟ โต ดิ โอ เด สส์ กับ อะ วา ลัน เช โฟ โตดิ เดดีส ใน การ รับ เอา รูป แบบ ต่าง ๆ

แว่นขยายภาพ

โครงสร้างและการถอดแบบ

เอพีดียังได้เพิ่มคุณสมบัติของโครงสร้าง p-i-n ด้วย แต่รวมไปถึงเขตที่มีสนามไฟฟ้าสูง ซึ่งผลกระทบต่อ ผลกระทบกับ election ampactive ups ups ups ups เมื่อโฟตอนสร้างคู่อิเล็กตรอนหลักขึ้นมา ตัวนําพลังงานในสนามไฟฟ้า จะเร่งพลังงานให้แรงกด เพิ่มขึ้นพอให้อะตอมอื่น ๆ เพิ่มขึ้น ทําให้เกิดแรงกระแทกเพิ่มมากขึ้น องค์ประกอบการเพิ่มความไวของแรงสั่นสะเทือน เพิ่มขึ้นจาก 10 ถึง 1000 โดยปกติจะเพิ่มขึ้นจากแรงขับเคลื่อนและการออกแบบแบบประยุกต์ APD จะต้องใช้ความโปร่งแสงสูงกว่า 100 องศา และได้รับแรง กระตุ้นจากอุณหภูมิที่มีประสิทธิภาพมาก วงจรการชดเชยภายในนี้เพิ่มความไวแสงภายใน แต่เพิ่มความไวเสียงรบกวนจากระดับเสียงที่เพิ่มมากขึ้น

เสียงรบกวนและการค้า

ปัจจัยรบกวนที่มากเกินไป โดยมีองค์ประกอบของสัญญาณรบกวน k (ค่า pregio of electronition for electron and guide) เป็นตัวกําหนดประสิทธิภาพของสัญญาณรบกวนที่ต่ํากว่า k ส่งผลให้สัญญาณรบกวนน้อยลง และวัสดุอื่น ๆ เช่น InAlAS และ SsiGe ก็ถูกปรับให้ทํางานดีขึ้น แม้ว่าจะมีเสียงรบกวน APD สามารถตรวจจับสัญญาณแสงที่อ่อนสามารถรับสัญญาณรบกวนได้จากการรบกวนในสัญญาณรบกวน PIN photiode ทําให้ค่าเหล่านั้นมีความสามารถในการอ่านภาพและระบบภาพแบบยาว-Var-Vee (FEL) สําหรับการอ่านเพิ่มเติมนี้ [FLL] Viladiophinchchio photick (Vo).

การวิเคราะห์แบบเปรียบเทียบ: PIN vs. APD

ความ ไว และ ความ รับ ผิด ชอบ

Responview จะวัดค่าการถ่ายภาพต่อหน่วยในการปรับภาพได้ โดยค่าแสงของ PIN Discodes, ค่าความไวแสงแบบจ้า จะจํากัดด้วยประสิทธิภาพเชิงควอนตัม โดยปกติจะเป็นค่า 5% ของค่า A/W สําหรับ Ingaas ที่ 1550 nm. APD การชดเชยแสงที่มีประสิทธิภาพจะถูกเพิ่มเข้ามาเพิ่มเป็น parument access, access access access: local [FR]. loadics: loads [1]. values]. access. access. สืบค้นเมื่อ 10BEM. pp. pp. pp. priple, priniple, pritional.

แบนด์วิธและสปีด

PIN Photodides โดยปกติจะเสนอ buggiods สูงกว่า เพราะเวลาขนส่งมีน้อย และไม่มีการล่าช้าการคูณ อุปกรณ์ PN PHz พาณิชย์มากกว่า 40 GHz, รองรับอัตราการรองรับข้อมูลมากกว่า 100 Gbps และอื่น ๆ APD มีแบนด์วิฟต์ต่ําเนื่องจากเวลาที่จําเป็นสําหรับการคูณและเส้นทางเดินเรือที่ยาวขึ้น ปกติจะ 1 ถึง 10 GHz แต่การออกแบบขั้นสูงสามารถถึง 20 GHz สําหรับโปรแกรมความเร็วสูงที่อยู่เหนือ GBSIDD ทั่วไปจะชื่นชอบ

ประสิทธิภาพของจุดรบกวน

PN Diodes แสดงเสียงรบกวนทั้งหมดต่ําลง ขณะที่พวกเขาขาดเสียงคูณ แหล่งที่มาของเสียงรบกวนนี้รวมถึงเสียงรบกวนจากภาพที่เกิดขึ้นอย่างต่อเนื่องและเสียงความร้อนจากเครื่องรับ-ส่งเสียง APD มีเสียงขยายเสียงตามเสียงรบกวน และเสียงรบกวนที่มากเกินไปเพิ่มสัญญาณรบกวนโดยรวม อัตราส่วนสัญญาณต่อเสียง (SNR) สามารถเลือกได้โดยการเลือกสัญญาณที่เหมาะสมและความโปร่งแสง สําหรับระบบความเร็วสูง, เสียงรบกวนแบบเสียงรบกวนแบบต่ํา (TIRATIF) ทําให้เกิดเสียงรบกวนแบบ METIF

บิ ส วอล เทจ และ ความ กลมกลืน

PN Diodes ทํางานที่อคติต่ํา (5-20 V) ด้วยการใช้พลังงานที่ลดได้ การใช้พลังงานแบบลดทอนได้ APDs ต้องการการออกแบบแบบอุปทานสูง (50-0-0) และมักจะชดเชยอุณหภูมิเพื่อปรับความเสถียรและต้นทุน การเพิ่มความเร็ว การเพิ่มความเร็วพร้อมระบบควบคุมการสร้าง แต่มีการเพิ่มขนาดและลดพลังงานโดยรวม สําหรับอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานหรือเติมเชื้อเพลิง PIN PATDD จะเป็นประโยชน์

การ ใช้ ระบบ สื่อสาร แบบ โอ เปรา

เชื่อมโยงข้อมูลแบบ Spied กับ PN Photodides

PIN Photodides เป็นตัวเลือกมาตรฐานสําหรับ interfect-to-medium เข้าถึงลิงก์ที่เอื้อเฟื้อด้วยงบประมาณลิงก์ที่เอื้อเฟื้อ ซึ่งใช้ใน 10 Gegit Eternet (10GBE-SR/LR) 40 ระบบ Gbps และระบบ Gbps ใช้ระบบติดตามคู่ขนานหรือหน่วยคลื่นคลื่นคลื่นคลื่นเสียงแบบคู่ (WDM) ในระบบคอมพิวเตอร์และเข้าถึงเครือข่าย PIN และเข้าถึงเครือข่าย PIN AIA นําเสนอวิธีแก้ปัญหาค่าใช้จ่าย และ distrieves lines lines ของพวกเขายังทําให้การเชื่อมต่อแสงง่าย เช่น ระบบวิทยุ-Febsports-Bors, AIII, Profile, interfect, discroscroscreens ในข้อมูลความเร็วสูง (in).

ระบบความไวแสงสูงและระบบเสียงสูง

APD โดดเด่นในระบบการสื่อสารแบบยาว รวมถึงระบบเรือดําน้ํา และเครือข่ายหลัก ที่พลังงานแสงจะเพิ่มขึ้นอย่างรุนแรง

โครงสร้างของการเลือกสําหรับการออกแบบผู้รับแบบ Offtical

เมื่อออกแบบเครื่องรับแสง วิศวกรจะประเมินอัตราการใช้ข้อมูล การเชื่อมต่อกัน การยอมรับเสียงรบกวน และค่าใช้จ่าย สําหรับการเชื่อมต่อความเร็วสูงที่มีขอบพลังงานเพียงพอ PN photid device นําเสนอค่าง่ายและต้นทุนต่ํา โปรแกรม EMPD ที่มีความไวต่ํา APD จะให้ผลที่จําเป็น การแก้ไขข้อผิดพลาดต่อไปข้างหน้า (FEC) สามารถลดความไวของความต้องการที่เพิ่มความซับซ้อนได้ อาจเกิดความชอบต่ออุปกรณ์ PIN ในระบบรับแบบระเบิดของเครือข่ายการปล่อยข้อมูล (POND), APD จะรองรับความไวแสงแบบเร็วแบบ pED แบบมาตรฐานเช่น mpetter elects as as as seperients as as contins กับ as oplements (D) ops accessients, perents, conditions (D) conmis (Fecting, pril, access, pril, pril, accesable, ented, entedment, acelective, acces, entation, acelect

ทิศทางในอนาคตในเทคโนโลยีการตรวจหาภาพถ่าย

การวิจัยยังคงปรับปรุงทั้ง PN และ APD มีประสิทธิภาพต่อ ๆ ไป สําหรับ PIN Diodes, การพยายามเพิ่มการเพิ่มการแบนด์วิลด์โดยใช้วัสดุเช่น แกรฟีเน และลดความเข้มของกระแส APD เป้าหมายนี้รวมถึงการลดเสียงที่มากเกินไป ในขณะที่การรับข้อมูลสูงผ่านวัสดุ เช่น SiGEEEEEEIA และ 3 access access adiographations, access access accessing at for access values values value.

รูปแบบการวน

PIN Epidiodies และ loader loadies เป็นส่วนประกอบพื้นฐานในเครื่องรับแสง แต่ละตัวจะนําเสนอประโยชน์ต่าง ๆ แต่ละอย่าง PN Diodes ให้ค่าความเร็วสูง, เสียงต่ํา, และเรียบง่ายสําหรับโปรแกรมที่มีระดับความไวสูง, โปรแกรมแบบย่อ, APDs ส่งผลให้มีความไวต่อสัญญาณรบกวนสูง และมีความซับซ้อนต่อระบบการส่งสัญญาณระยะไกล และระดับแสงที่ยาว ตัวเลือกขึ้นอยู่กับความต้องการต่าง ๆ เช่น อัตราการเชื่อมโยงของข้อมูล และค่าใช้จ่ายต่าง ๆ