การเข้าใจส่วนที่เสื่อมโทรมในไดร์ด จําเป็นสําหรับการทําให้มีประสิทธิภาพในอุปกรณ์ดีขึ้น การคํานวณอย่างแม่นยําของพื้นที่นี้ ช่วยในการออกแบบความมีประสิทธิภาพของโชทกีและ p-n Diods ซึ่งใช้แพร่หลายในวงจรอิเล็กทรอนิกส์
เขต ทํา ให้ ชุ่ม ชื่น ใน เขต ร้อน ช อ ตกี
ใน Schotky Diods, รูปแบบของส่วนที่ลดลงที่อินเทอร์เฟสโลหะ- Semi ตัวนําร่อง ความกว้างของมันขึ้นอยู่กับฟังก์ชันที่แตกต่างกันและค่า dodping ระดับ ความกว้างสามารถคํานวณได้โดยใช้ความจุที่สร้างและเพิ่มความเข้มข้น
ความกว้างย่อ/ ขยาย (W) ได้รับ:
[FLT: 0] W = Bourt((* ⁇ * V bi) / (c) (N d) ) ) )
⁇ เป็นค่าอนุมัติของกึ่งตัวนําร่อง V bi เป็นค่าความสามารถที่สร้างมา ค.ศ.
ขอบเขตการลดลงใน p- n Diodes
ในรูปแบบ p-n Diodes การลดความหยักของพื้นที่ในการเชื่อมโยงระหว่างวัสดุ p-type กับ n ชนิด ความกว้างของมันมีอิทธิพลต่อพฤติกรรมการแบ่งแยกและย้อนกลับ การคํานวณค่าความกว้างนี้เกี่ยวข้องกับหลักการที่คล้ายกัน แต่ให้พิจารณาทั้งสองฝั่งของส่วนเชื่อมต่อกัน
ความกว้างความอิ่มตัว (W) ในค่า P- n การต่อเชื่อมคํานวณโดย:
[FLT: 0] W = Bourt(* ⁇ * (V bi + V R) / (c) (N A+N D) / (N A]) (N A * N D)) ) ) [FLLT: 1]
โดย V R คืออคติแบบปรับใช้ย้อนกลับ เอ็น เอ และ เอ็นดี เป็นตัวรับและใช้ความเข้มข้นของผู้บริจาคตามลําดับ
ออกแบบมุมมอง
การทําการคํานวณพื้นที่ให้สมบูรณ์ จะช่วยให้วิศวกรสามารถคาดเดาพฤติกรรมของอุปกรณ์ได้ ภายใต้เงื่อนไขอคติที่แตกต่างกัน การปรับค่าระดับการวาดและคุณสมบัติต่าง ๆ ของวัสดุนั้น สามารถปรับความกว้างการลดลงของอุปกรณ์สําหรับโปรแกรมโดยเฉพาะ
การ ควบคุม ตัวแปร เหล่า นี้ อย่าง เหมาะ สม ช่วย ให้ อุปกรณ์ มี ประสิทธิภาพ และ มี อายุ ยืน.