การคํานวณการใช้พลังงานในดิจิทัล วงจรการวนรอบของ CMOS

การเข้าใจการใช้พลังงานในวงจร CMOS ในปัจจุบันนั้นจําเป็นสําหรับการออกแบบอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีประสิทธิภาพในพลังงาน มันเกี่ยวข้องกับการวิเคราะห์ปัจจัยต่าง ๆ ที่มีส่วนช่วยในการใช้พลังงานทั้งหมดที่ใช้ในการผ่าตัดวงจร บทความนี้ให้ภาพรวมของแนวคิดและการคํานวณเกี่ยวกับการใช้พลังงานในเทคโนโลยี CMOS

ส่วน ประกอบ ของ การ สังเคราะห์ พลัง

การใช้พลังงานในวงจร CMOS ส่วนใหญ่ประกอบด้วยองค์ประกอบที่ขับเคลื่อนได้ และใช้พลังงานคงที่ เชื่อมต่อกับประจุชาร์จ และค่าความจุของโหลดระหว่างการเปลี่ยนกิจกรรม ชีพจรจะส่งผลให้กระแสกระจายที่ไหลได้ แม้ว่าวงจรจะไม่เปลี่ยน

กําลังคํานวณความโปร่งแสง

พลังพล (P[FLT: 0] Admination[FLT: 1) สามารถประมาณได้โดยใช้สูตร:

[[FLT: 0]] P _Admin = α _L V^{] [FLLT: 6] f[FLT: ⁇ (FLLT: ⁇ ] (F[FLLTT: 7]}

ที่ไหน:

• [FLT: 0] ⁇ เป็นปัจจัยของกิจกรรมสลับที่ (จํานวนเปลี่ยนแปลงต่อวงจรนาฬิกา)
• [FLT: 0].C _L เป็นตัวถ่วงการโหลด
• [FLT: 0] V เป็นแรงขับเคลื่อนอุปทาน
• [FLT: 0] f (FLT:1] เป็นความถี่นาฬิกา

การปรับอุณหภูมิ

ขั้วประสาท (P[FLT: 0]] ICU หลักคือ รั่วไหลของกระแสในทรานซิสเตอร์

[FLT: 0]. P _FKL = _Lac V

ที่ I[FLT: 0] เลวัก เป็นกระแสลมที่รั่ว ซึ่งขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีกระบวนการและอุณหภูมิ

การดูดพลังงานที่มากเกินไป

การบริโภคพลังงานทั้งหมด คือผลรวมของ องค์ประกอบที่ขับเคลื่อนได้ และคงที่

[[FLT: 0]] PE _Total = P _{Aident[FTT:4]] + P[FLTT:5] (FLLT:5] [FLTT:6] [FLLT: ⁇ [FLTTT:7]}