การเสียพลังงานในวงจร MOSFET เป็นปัจจัยสําคัญที่มีผลต่อประสิทธิภาพและการจัดการอุณหภูมิ เทคนิคการคํานวณที่เหมาะสมและการจัดการช่วยปรับประสิทธิภาพวงจร และป้องกันความร้อนที่มากเกินไป
การ เข้าใจ พลัง ที่ แตก ต่าง กัน ใน เรื่อง เงิน
การเสียพลังงานส่วนใหญ่เกิดขึ้นเนื่องจากการนําไฟฟ้า และการเปลี่ยนการสูญเสียภายในเครื่อง MOSFET การสูญเสียการนําไฟฟ้าจะเกิดขึ้นเมื่ออุปกรณ์ทํางาน และกระแสไฟที่ไหลผ่านช่องทางของมัน ทําให้ความร้อนทํางาน การสลับที่การสูญเสียเกิดขึ้นในระหว่างการเปลี่ยนระหว่างรัฐและรัฐต่าง ๆ โดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ความถี่สูง
การ คํานวณ พลัง งาน
เพื่อ ประมาณ การ ลด พลัง งาน ให้ พิจารณา ทั้ง การ นํา ของ และ การ เปลี่ยน แปลง.
[FLT: 0] PT continuation = I D2 × r]. สืบค้นเมื่อ: ⁇ (Onon)[FLTT:5] .
ที่ที่ผม [FLT: 0] D เป็นท่อระบายน้ําที่ไหลอยู่ และ R DS[FLT] (Onon] เป็นระบบย่อยของ MOSFET. แลกเปลี่ยนการสูญเสียขึ้นอยู่กับแรงกดไฟฟ้า, ความถี่ปัจจุบัน, และเวลาเปลี่ยนแปลง ซึ่งมักจําเป็นในการวิเคราะห์รายละเอียดหรือจําลอง
พลัง ที่ กระตุ้น ให้ เกิด การ แตก แยก
การจัดการที่มีประสิทธิภาพเกี่ยวข้องกับการเลือก MOSFETs กับต่ํา [FLT: 0] DS(บน) [FLT: 1), การเปลี่ยนความเร็ว และวิธีการทําความเย็นที่เหมาะสม. ความร้อน, การดูดซับ, แฟน, และวัสดุเชื่อมต่อความร้อนช่วยลดความร้อนระหว่างปฏิบัติการ.
นอก จาก นั้น เทคนิค การ ออก แบบ แบบ หมวด เช่น การ เปลี่ยน แบบ อ่อน ๆ และ การ หด ตัว อาจ ช่วย ลด การ เปลี่ยน แปลง ที่ เสีย ไป.
การพิจารณากุญแจ
- เลือก MOSFETs ด้วย RLE (FLT: 0) DS(ON)
- ปรับค่าความถี่ของการสลับที่มีประสิทธิภาพ
- การ ทํา ให้ เย็น ตัว อย่าง ได้ ผล
- ใช้ระบบวงจรวงจรประตูที่เหมาะสม