การตั้งโครงการที่เน้นการขยายสัญญาณ สําหรับโปรแกรมที่มีความถี่สูง: หลักการการออกแบบและการคํานวณ

โปรแกรมที่มีความถี่สูง ต้องการความเหมาะสมของ MOSFETs อย่างระวัง เพื่อรับประกันประสิทธิภาพที่มีประสิทธิภาพ หลักการการออกแบบที่เหมาะสม และการคํานวณที่แม่นยําจําเป็นในการลดการสูญเสีย และความเร็วในการสลับที่มากที่สุด

การเข้าใจพารามิเตอร์ MOSFET

พารามิเตอร์สําคัญมีผลต่อประสิทธิภาพของ MOSFET ที่ความถี่สูง ซึ่งรวมถึงประจุของเกต, การต้านทานประตู และ parsitic Inductances ความรู้ที่ถูกต้องของปัจจัยเหล่านี้ ช่วยให้เราออกแบบวงจรการทํางานที่มีประสิทธิภาพ

หลักการการออกแบบสําหรับ ความถี่สูง MOSFET

การ ออก แบบ ที่ มี ประสิทธิภาพ เกี่ยว ข้อง กับ การ ดู แล รักษา ส่วน ประกอบ ต่าง ๆ ของ ปรสิต และ การ ปรับ ผัง.

การ คํานวณ เพื่อ การ ทํา โอปติเมชัน

การ คํานวณ รวม จุด อยู่ ที่ ตัวแปร ต่าง ๆ เช่น การ เปลี่ยน แปลง ของ ค่า เสีย หาย, ค่า ใช้ จ่าย ของ ประตู, และ ค่า ปรับ แบบ กึ่ง กึ่ง.

[FLT: 0] POPER Lost = 0.5 × vds × Id x tig/tf

ที่ที่ VDs เป็นพลังงานสูบน้ํา ID คือกระแสไฟ tr คือเวลาเพิ่มขึ้น และเวลาตก TF เหล่านี้คํานวณองค์ประกอบการเลือกและการปรับปรุงวงจร

การพิจารณากุญแจ

• การ หด ตัว ของ ปรสิต
• ใช้ตัวป้องกันประตูที่เหมาะสม
• ปรับค่าผังแป้นพิมพ์ PCB
• เลือก MOSFETs ที่มีการเรียกดูประตูต่ํา