การปรับค่าโมสเฟตเกตไดรฟ์สําหรับสลับความเร็วสูง

วงจรไดรฟ์ของ MOSFET มีความสําคัญต่อการเปลี่ยนความเร็วสูง การออกแบบที่เหมาะสม ทําให้แน่ใจว่าจะล่าช้าน้อยที่สุด, ลดการสูญเสียพลังงานได้ และมีประสิทธิภาพในระบบอิเล็กทรอนิกส์ บทความนี้พูดถึงการพิจารณาและเทคนิคที่สําคัญในการส่งเสริมระบบไดรฟ์ของ MOSFET

การเข้าใจวิธีเดินแบบ MOSFET

การสลับความเร็วสูง ต้องการค่า ชาร์จของปุ่ม MOSFET และปลดออกอย่างรวดเร็ว ค่าชาร์จประตู, ค่ากดเข้าค่าความจุ และค่าส่งแรงลมปัจจุบันของตัวขับเคลื่อน เปลี่ยนความเร็ว การปรับของวงจรไดรฟ์สามารถให้พลังงานเพียงพอต่อระบบปัจจุบัน สําหรับการเปลี่ยนแปลงเวลา

เทคนิค การ ทํา โอปติเมชัน

เทคนิค หลาย อย่าง สามารถ ปรับ ปรุง ประสิทธิภาพ ใน การ ขับ รถ ของ ประตู ได้:

• [FLT: 0] ใช้ระบบควบคุมของตัวควบคุมที่อุทิศตัวจากเครื่องควบคุม จากเวทีพลังงาน (FLT: 1)
• [FLT: 0] ขัดจังหวะประตู continuation: ที่เหมาะสม ดุลยภาพการเหย้าขวางการหักเหของความเร็วและคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI).
• [FLT: 0] วงจรรองเท้าบูท: พวกเขาจัดหาแรงดันไฟฟ้าที่จําเป็น สําหรับรถที่วิ่งได้สูง ในรูปแบบครึ่งสะพาน
• [FLT: 0] การผสมพาราซิติกอินดิแอคซ์: สั้นๆ, ร่องรอยหนา ลดความเหลื่อ และแรงกดไฟฟ้า ระหว่างการสลับกัน

ออกแบบมุมมอง

การ กําหนด บริเวณ ที่ เหมาะ สม, การ ลด ขอบ วง, และ การ เลือก ประตู ที่ เหมาะ สม มี ส่วน ทํา ให้ มี การ ดําเนิน งาน ด้วย ความ เร็ว สูง.