การเข้าใจระบบไฟฟ้าที่หมุนได้ของทรานซิสเตอร์ จําเป็นอย่างยิ่งในการออกแบบเครื่องแปลงพลังงานที่มีประสิทธิภาพ ซิลิคอนและแกลเลียม ไนเตรด์ (GEN) มีคุณลักษณะที่แตกต่างกันที่มีผลต่อพฤติกรรมการสลับที่ และประสิทธิภาพโดยรวม
รูปแบบการแปลงของไดเรกทอรี
ทรานซิสเตอร์ปกติจะมีแรงดันไฟฟ้าแบบขีดจํากัดที่ขึ้นตั้งแต่ 0.7V ถึง 1.5V ซึ่งแรงม้านี้เป็นตัวขับเคลื่อนที่น้อยที่สุดที่ต้องใช้เพื่อเปิดระบบทรานซิสเตอร์ และอนุญาตให้กระแสในปัจจุบันทํางาน ค่าที่แน่นอนขึ้นอยู่กับอุปกรณ์และกระบวนการของตัวมัน
นัก ออก แบบ มัก จะ คิด ถึง ขอบ ที่ อยู่ เหนือ แรง ดัน ของ ธรณี ประตู เพื่อ รับ ประกัน ว่า จะ เปลี่ยน แปลง ได้ อย่าง น่า เชื่อ ถือ.
แผงวงจรไฟของ GN
แกลเลียม ไนตไรด์ ทรานซิสเตอร์ โดยปกติแล้วจะมีแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า ปกติจะอยู่ระหว่าง 2V ถึง 4V
ลักษณะนี้ทําให้ GN ทรานซิสเตอร์ที่เหมาะสมสําหรับการนําไปใช้ความถี่สูง และการแปลงพลังงานที่มีคุณภาพสูง แรงดันไฟฟ้าของเกตที่เหมาะสมมีความสําคัญมากในการใช้ประโยชน์อย่างเต็มรูปแบบ
การคํานวณตัวหมุนในเครื่องมือแปลงค่า
เพื่อกําหนดค่าค่าอุณหภูมิการหมุนของตัวแปลง ให้พิจารณาค่าของตัวแปลงของตัวแปลง ส่วนค่าอุณหภูมิ ขีดจํากัด (FLT: 0) ที่จุด (FLT: 1) บ่งชี้ค่าแรงม้าของประตูที่น้อยที่สุดที่จําเป็นสําหรับการนําร่อง โปรดแน่ใจว่าค่าวงจรของประตู เป็นค่าแรงม้าเหนือการดําเนินงานที่เชื่อถือได้นี้
สําหรับ ซิลิคอน ทรานซิสเตอร์ เทอร์โบ แบบ เกต ที่ มี 10V แบบ ทั่ว ไป ทํา ให้ มี ช่อง ที่ ปลอด ภัย เหนือ ธรณี ประตู สําหรับ เครื่อง ทรานซิสเตอร์ ของ กา นิน แรง ดัน ที่ แรง ขับ 4V ถึง 5V นั้น มัก จะ พอ เพียง แต่ การ ออก แบบ บาง แบบ อาจ ต้อง ใช้ แรง ดัน ที่ สูง กว่า เพื่อ ให้ ความ ประพฤติ เต็ม ที่
- Check the Transistor tadivers for V[FLT: 0]th.
- แรงดันไฟฟ้าของเกต เกินกว่าค่าที่คํานวณได้ [FLT: 0] ที่ [FLT: 1] โดยขอบที่ปลอดภัย
- ปรับวงจรไดรฟ์ตามความต้องการ
- ลอง พิจารณา ผล กระทบ จาก อุณหภูมิ ที่ เกิด จาก แรง ดัน ของ ธรณี.