กําลังคํานวณข้อความบน (บน) สําหรับการเลือกแบบเคลื่อนไหวแบบประหยัด ออกแบบวงจรการทํางาน

การเลือก MOSFET ทางด้านขวาสําหรับวงจรนี้ เกี่ยวข้องกับความเข้าใจในการใช้งานในการใช้งานแบบออนไลน์ หรือรู้จักในชื่อ RDS (ON) พารามิเตอร์นี้มีผลต่อประสิทธิภาพและรุ่นที่ร้อนขึ้น การคํานวณ RDs (ON) อย่างแม่นยํานั้น ช่วยในการเลือกอุปกรณ์ที่ตรงกับความต้องการในการแสดง ในขณะที่สูญเสียพลังงานไป

การเข้าใจ RDS

RDS( บน) เป็นค่าความต้านทานระหว่างแหล่งส่งน้ําและแหล่งกําเนิด เมื่อเปิดการใช้งาน MOSFET ให้ทํางานเต็มที่ ค่า RDS ด้านล่าง จะบ่งบอกถึงความประพฤติที่ดีกว่า โดยมีพลังงานลดลง พารามิเตอร์นี้จะระบุไว้ในข้อมูลข้อมูล และความแตกต่างระหว่างอุณหภูมิกับอุณหภูมิ และแรงม้าของเกต

กําลังคํานวณ RDs (on) ในการแปลงวงจร

เพื่อคํานวณค่า RDs ที่มีประสิทธิภาพในวงจร ให้พิจารณาค่าสูงสุด Rds(บน) ที่ผู้ผลิตระบุไว้ที่ค่าแรงม้าของเกต ปรับแก้อุณหภูมิและค่าของอุณหภูมิในการแสดงผล ค่าสูตรนี้ตรงไปตรงมา:

[[FLT: 0] Effective Rds( on) = rds(on) ตามเงื่อนไขที่กําหนด

องค์ประกอบการไล่สี

• [FLT: 0] Gate Voltage: แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าของเกตนั้นเพียงพอต่อการเปิด MOSFET, Office RDS (ON).
• [FLT: 0] Tempperative: RDS(Onn) เพิ่มด้วยอุณหภูมิ ดังนั้น พิจารณาการจัดการระบบพลังงานความร้อน
• [FLT: 0]. อนุมาน: เลือก MOSFET กับ RDS(ON) ต่ําพอที่จะรับมือการโหลดสูงสุดในปัจจุบันอย่างมีประสิทธิภาพ.
• [FLT: 0] PAUPPEE dictionation: คํานวณการสูญเสียพลังงานโดยใช้ P = I2 × Rds (On) เพื่อทําให้แน่ใจว่า จํากัดความร้อนนั้นไม่เกิน