วงจรแบบทรานซิสเตอร์เป็นพื้นฐานในโครงการอิเล็กทรอนิกส์ การคัดเลือกและการคํานวณที่เหมาะสมของคอมโพลาร์คอมโพเนนท์คอมโพเนนท์ (BJT) เพื่อให้แน่ใจว่ามีการทํางานและความเหมาะสมในวงจร บทความนี้แนะนําคุณผ่านกระบวนการในการเลือกส่วนประกอบ BJT ที่เหมาะสม และทําการคํานวณที่จําเป็นสําหรับโครงการของคุณ
การเข้าใจพื้นฐาน BJT
A Bpolicar Junctographor (BJT) เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ควบคุมในปัจจุบันสําหรับการขยายและสลับระบบ มันมีเทอร์มินัล 3 เทอร์มินัล: regripe, base และ letter การปฏิบัติการนี้ขึ้นอยู่กับการไหลของกระแสในกระแสสู่ฐาน ซึ่งควบคุมกระแสไฟขนาดใหญ่ระหว่างการเก็บรวบรวมและปล่อยเสียง
ปรับแก้ค่าแกมม่าของส่วนการเลือก
การเลือก BJT ที่ถูกต้องนั้น เกี่ยวข้องกับการพิจารณาตัวแปรหลายๆตัวแปร
- [FLT: 0] เรตติ้ง (IC):[[FLT: 1) มั่นใจได้ว่ากระแสของนักสะสมไม่ได้เกินค่าสูงสุด
- [FLT: 0] เรตติ้งของ Voltage (Vce): เลือกทรานซิสเตอร์ที่มีแรงขับเคลื่อนแบบเซพเตอร์สูงกว่าแรงม้าของวงจรคุณ
- [FLT: 0] Gain (hFE): เลือกทรานซิสเตอร์ที่มีผลประโยชน์ปัจจุบันเพียงพอสําหรับโปรแกรมของคุณ
- [FLT: 0] ประเภท Package: พิจารณาขนาดทางกายภาพและค่าความร้อนที่ลดลง
การคํานวณฐานและนักสะสม
ตัวต่อต้านจะถูกใช้ในการควบคุมการไหลปัจจุบันในวงจร BJT การคํานวณขึ้นอยู่กับกระแสไฟสะสมที่คุณต้องการ (Ic) และกระแสไฟฟ้าฐาน (Ib)
ตัวป้องกันฐาน (Rb) สามารถคํานวณได้โดยใช้:
[FLT: 0] Rb = (Vb - Veb) / Ib
โดย Vb คือแรงขับเคลื่อนของอุปทานพื้นฐาน และ Vbe ตามปกติคือ 0.7V สําหรับซิลิคอน บีเจทีส
ตัวป้องกันการสะสม (Rc) ถูกคํานวณเป็น:
[FLT: 0] Rc = (Vc - Vce) / IC
รูปแบบการวน
การคัดเลือกองค์ประกอบและการคํานวณที่เหมาะสมนั้นจําเป็นสําหรับการออกแบบวงจร บีเจที ที่มีประสิทธิภาพ การเข้าใจพารามิเตอร์และการคํานวณ ช่วยให้มั่นใจว่าโครงการของคุณ มีความหมายและรักษาความน่าเชื่อถือได้