การนําไฟฟ้าและสารกระตุ้นไฟฟ้า โครงสร้างกึ่งตัวนําไฟฟ้า กระบวนการนี้สามารถแตกต่างกันอย่างมาก จากวัสดุขนาดใหญ่

พื้นฐานของการรวมตัวของอิเล็กตรอน-โฮลล์

การรวมตัวของอิเล็กตรอนในแนวนําไฟฟ้าจะลดลง และตกเป็นหลุมในวงเวเลนซ์ กระบวนการนี้ปล่อยพลังงานออกมา ซึ่งมักเกิดในรูปแบบของแสง (การหลอมรวมพลังงาน) หรือความร้อนแบบพื้นฐาน (ไม่อยู่ในโครงสร้างปกติ) อัตราการประกอบพลังงานของอุปกรณ์ที่ประกอบกันใหม่ เช่น ในเซลล์แสงอาทิตย์ และการสลายตัวของแสง

ผล กระทบ ของ การ ทํา ให้ เกิด การ ต่อ ต้าน

การเปลี่ยนสภาพของ รัฐอิเล็กทรอนิกส์ภายในวัสดุ การกักกันควอนตัมสามารถเพิ่มช่องว่างของพลังงานและแก้ไขเส้นทางการควบรวมข้อมูล การเปลี่ยนสถานะและข้อบกพร่องต่าง ๆ จะโดดเด่นมากขึ้น บ่อยครั้งที่ทําหน้าที่เป็นศูนย์ควบคุมการควบรวมซึ่งสามารถเพิ่มกระบวนการไม่เปลี่ยนแปลงได้ ผลกระทบเหล่านี้จะต้องได้รับการพิจารณาในความพยายามจําลอง

การ เข้า ถึง แบบ จําลอง

มีหลายวิธีที่ใช้จําลองการรวมตัวของอิเล็กตรอนในอะตอม นาโนแบบกึ่งตัวนําสาร:

  • [FLT: 0]. สมการ: จัดรูปกระบวนการให้เป็นแบบง่าย อัตราการรวมตัวของสารสนเทศ โดยอิงจากตัวแปรที่ส่งผลกระทบต่อการดําเนินงาน
  • [FLT: 0] แบบจําลองกลควอนตัม: ใช้ Schrognger และทฤษฎีความจุแรงสูง เพื่อวิเคราะห์รัฐอิเล็กทรอนิกส์
  • [FLT: 0]. สืบค้นเมื่อ Monte Caro จําลอง: ส่งสัญญาณและปฏิสัมพันธ์กันเมื่อเวลาผ่านไป.
  • [FLT: 0] หน้าและข้อบกพร่องจําลอง: Incoverpoint sport sports and ระดับข้อบกพร่องที่มีผลต่อการคอมโพสิต (incument corsion).