วิธีการปฏิบัติสําหรับการสลายตัวความเป็นไปได้ที่สร้างขึ้นในกึ่งการนํา

การเข้าใจศักยภาพของตัวนําร่องในส่วนกึ่งตัวนําร่อง จําเป็นสําหรับการออกแบบและวิเคราะห์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ บทความนี้ศึกษาวิธีการปฏิบัติเพื่อกําหนดพารามิเตอร์ที่สําคัญนี้อย่างถูกต้อง

วิธี 1: การวัดความจุ- โวลต์ (C- V)

การวัด C-V เกี่ยวข้องกับการวิเคราะห์ขอบเขตการลดลงของไดร์ด โดยการใช้อคติย้อนกลับ และวัดค่าความจุ มีศักยภาพที่สร้างขึ้นคํานวณได้โดยใช้ความสัมพันธ์:

[FLT: 0] V bi = (kt/q) * IN(N A * N D / n i^2) + V R

โดย V bi เป็นศักยภาพที่สร้างมา เอ็น-เอ และ เอ็น-ดี กําลังเพิ่มความเข้มข้นเข้าไป, n i คือความเข้มข้นของพาหะทางน้ํา, V R คืออคติที่ปรับใช้ย้อนกลับ และสัญลักษณ์อื่น ๆ มีความหมายปกติของพวกเขา

วิธีการเปิด-คูเวต

วิธีนี้ใช้วัดแรงดันไฟฟ้าเปิด (V OC) ของไดร์ดภายใต้การส่องสว่าง V OC เกี่ยวข้องกับศักยภาพการสร้างโดยสมการ:

[FLT: 0] VC ⁇ V B - (kt/q) ) IN (I L / I 0)

ตรงนี้ I L คือภาพที่ซ้ํากัน และ I 0 คือ ความอิ่มสีปัจจุบัน โดยการวัด V OC และรู้ค่าปัจจุบัน ก็สามารถประมาณค่า V b ได้

วิธี ที่ 3: การ เกิด อิเล็กตรอน และ การ เจริญ เติบโต ของ โฟ โต เล มี น

การปล่อยก๊าซที่ไหลได้สูงสุดเกี่ยวข้องกับช่องว่างของพลังงาน ซึ่งสามารถใช้เพื่อกําหนดศักยภาพที่ก่อตัวได้ทางอ้อม

วิธี เหล่า นี้ เป็น ประโยชน์ ต่อ วัสดุ ที่ มี การ วัด ด้วย ไฟฟ้า ได้ ยาก.

สรุป

• การวัดการจุลภาค- โวลต์
• วิธีการเปิดและปรับความถี่
• การวิเคราะห์การปล่อยก๊าซ