ศักยภาพที่สร้างจาก p-n- in parential เป็นพารามิเตอร์ที่สําคัญที่มีผลต่อพฤติกรรมของอุปกรณ์กึ่งตัวนําแสง สามารถกําหนดได้โดยวิธีต่าง ๆ รวมถึงการคํานวณและการวัดทางทฤษฎี มัคคุเทศก์นี้ให้ขั้นตอนที่ใช้งานได้จริงในการประมาณศักยภาพที่สร้างขึ้นอย่างถูกต้อง

การคํานวณการสร้างหลอดเลือด

วิธีที่นิยมมากที่สุด คือการใช้ความเข้มข้นของเขต p-type และ n ชนิด

[FLT: 0] V Bi = (kT/q] ) IN (N] ⁇ ([FLTTT: 4]]]]] (FLLT: 5). สืบค้นเมื่อ 20 พฤษภาคม พ.ศ.

ที่ไหน:

  • [FLT: 0] V Bi = ศักยภาพการก่อสร้าง
  • [FLT: 0]. k =ค่าคงที่ของโบลท์ซมันน์ (Bloutzmann)
  • [FLT: 0] T =อุณหภูมิในเคลวิน
  • [FLT: 0]. ac = ค่าใช้จ่ายขั้นต้น
  • [FLT: 0]. NN = การรับบทรวม
  • [FLT: 0]. เอ็น d]=ผู้บริจาคความเข้มข้น
  • [FLT: 0]. n. สืบค้นเมื่อ 20 พฤษภาคม พ.ศ.

วิธี การ วัด อุณหภูมิ

วิธีการหนึ่งที่ใช้ได้ เกี่ยวข้องกับการวัดความกว้างของค่าความเข้มและค่าไฟฟ้าที่ซ้อนตัว เทคนิกจะรวมค่าความจุสีของพลังงานในการแสดงผล (C-V) และค่าคํานวณของขนาดปัจจุบัน (I-V) วิธีเหล่านี้จะให้ข้อมูลเชิงประจักษ์ เพื่อประเมินศักยภาพ

ขั้น ตอน ต่าง ๆ ที่ ใช้ ได้ จริง เพื่อ วัด

เพื่อตัดสินความเป็นไปได้ที่อาจเกิดขึ้นจากการทดลอง

  • เตรียมอุปกรณ์เชื่อมต่อ p-n แล้วเชื่อมต่อไปยังเครื่องวัด
  • ทําการวัด C-V เพื่อลดความอ้วน ที่แรงกดต่างๆ
  • Plot 1/C[[FLT: 0]2 สู้กับแรงดันไฟฟ้า และหาจุดสกัดเพื่อประมาณศักยภาพที่สร้างขึ้นภายใน.
  • ทางเลือกคือวัดแรงดันไฟฟ้าเปิด ระบบพลังงานไฟฟ้าใต้สภาวะสมดุล