เลือกโปรแกรมที่ใช้สลับความถี่สูง

การเลือก MOSFET ที่เหมาะสม สําหรับโปรแกรมการเปลี่ยนความถี่สูงนั้นจําเป็นสําหรับการมีประสิทธิภาพและน่าเชื่อถือในวงจร การคัดเลือกที่เหมาะสมนั้นเกี่ยวกับความเข้าใจพารามิเตอร์สําคัญและลักษณะเฉพาะที่มีผลต่อการสลับพฤติกรรมและประสิทธิภาพของพลังงาน

พารามิเตอร์ของกุญแจสําหรับการเลือก MOSFET

พารามิเตอร์บางตัวจะกําหนดความเหมาะสมของ MOSFET สําหรับการสลับความถี่สูง ซึ่งรวมถึงประจุประตู, ค่ากดเข้า, และความเร็วในการสลับที่ การกดและค่ายิงประตูต่ํากว่า และค่าความจุที่ป้อนมา จะสามารถสลับได้เร็วขึ้นและลดการสูญเสียพลังงานระหว่างปฏิบัติการ

ลักษณะ นิสัย ที่ สําคัญ ที่ ควร พิจารณา

เมื่อ เลือก MSFET ให้ พิจารณา ลักษณะ นิสัย ต่อ ไป นี้:

• [FLT: 0] RDs( on): อัตราการลดโทษ มีผลกระทบกับการสูญเสียการนํา; ค่าที่ต่ํากว่าสามารถเพิ่มได้มากกว่า
• [FLT: 0] เชื่อมต่อไฟฟ้าเชื่อมต่อ: ควรเข้ากันได้กับระดับไฟฟ้าวงจรควบคุม
• [FLT: 0] CAPUPUCTS: การนําเข้าและส่งผลกระทบต่อการสลับความเร็ว
• [FLT: 0] . มาเซเมียม แรงดันลม (VDs): ต้องเกินแรงดันไฟฟ้าสูงสุดในวงจร.
• [FLT: 0] ลักษณะเฉพาะ: การสลายตัวของความร้อนจําเป็นสําหรับการดําเนินงานความถี่สูง

เคล็ดลับเพิ่มเติมสําหรับโปรแกรมที่มีความถี่สูง

ใช้ MOSFETs โดยเจาะจงสําหรับสลับแบบความเร็วสูง มักจะติดป้ายว่า "RF" หรือ "ความถี่สูง" MOSFETs เทคนิคการจัดผังที่เหมาะสม เช่น การสลับผังแบบพาราซิติกและความจุสูง ยังสามารถปรับปรุงการทํางานได้