Ang mga high-temperature application ay nangangailangan ng mga espesyalisadong semiconductor na materyales na maaaring gumana nang may katiyakan sa ilalim ng labis na thermal na kondisyon.Ang pagpili ng mga angkop na materyales at pagsasagawa ng tumpak na kalkulasyon ay mahahalagang hakbang sa pagdidisenyo ng mga semiconductor na ito upang matiyak ang pagganap at haba ng buhay.

Materyal na Pagpili Para sa Mataas-Temperature na mga Semikonduktador

Ang mga materyal na ginagamit sa mataas na-temperature semiconductor ay dapat may malawak na mga puwang ng banda, mataas na thermal na katatagan, at mabuting mga katangiang elektrikal sa mataas na temperatura. ang mga karaniwang pagpipilian ay kinabibilangan ng silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), at brilyante.Ang mga materyales na ito ay maaaring tumagal sa mas mataas na temperatura kumpara sa mga tradisyonal na silicon-based semiconductors.

Mga Pangunahing Bagay na Dapat Gawin sa Materyal na Paraan

  • Band Gap: Ang mga puwang ng Wide band ay nakababawas sa thermal na henerasyon ng mga carrier ng charge.
  • Ang Thermal Activity: Ang mataas na pag-aasal ng thermal ay nakatutulong sa mahusay na pag-alis ng init.
  • AngBreakdown Voltage: Ang mas mataas na boltahe ng pagkasira ay nagpapangyari sa operasyon sa mas mataas na boltahe.
  • Ang Mainit na Katatagan: Ang hindi pag-iwas sa pagkasira sa mataas na temperatura.

Mga Pagkalkula sa Pagiging Mataas-Temperature

Ang mga kalkulasyong ito ay nagpapahiwatig ng mga parameter gaya ng likas na carrier circulation, moving, at breakdown volt sa mataas na temperatura.

Nakaing Pagpupulong sa Loob ng Bahay

Ang likas na carrier curnation ay tumataas dahil sa temperatura, na nakaaapekto sa pag - uugali at maaaring tinatayang gumagamit ng ekwasyon:

n [[[ = A × T3/2 × e[[T:[[[T][[[[[[[[[[[[L]][[[[2][2][2k[FLT:[[FLT][[[[[[T][[T][[[T][[T][F][[[[[[[T]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[]]]]]]]]]]]]

Pagguho ng Butil

Ang boltahe ng pagkasira ay depende sa materyal na mga katangian at geometriya ng aparato, na maaaring kalkulahin ng:

[BD[ = E]BD[ × d]